时间：2025/5/8 8:45:21
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CBW100505U260T 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，适用于高频和高效率电源转换应用。该器件采用超小型封装设计，能够显著减少电路板空间需求，并提升整体系统性能。
该型号主要针对开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用场景而优化。其高效的性能和低导通电阻使其在高频率操作中表现出色，同时降低了系统的能耗。
型号：CBW100505U260T
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压 (Vds)：600 V
连续漏极电流 (Id)：26 A
导通电阻 (Rds(on))：45 mΩ
栅极电荷 (Qg)：70 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
功耗：约 1.5 W（典型值）
特征频率 (Ft)：8 MHz
CBW100505U260T 的主要特性包括：
1. 高击穿电压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境下的功率转换任务。
2. 极低的导通电阻，仅为 45mΩ，在高频条件下仍能保持高效率运行。
3. 快速开关速度，得益于氮化镓材料的独特优势，使它能够在高频率下维持低损耗。
4. 出色的热稳定性，即使在高温环境下也能保持良好的电气性能。
5. 具备更高的功率密度，相比传统的硅基 MOSFET，体积更小且效率更高。
6. 简化的 PCB 布局，由于封装紧凑，减少了对额外散热管理的需求。
CBW100505U260T 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如服务器电源、通信设备电源和工业电源。
2. DC-DC 转换器，特别是在需要高效能量转换的小型化模块中。
3. 汽车电子系统，例如车载充电器和混合动力汽车中的逆变器。
4. 工业电机驱动，提供精确控制和高效能量传递。
5. 可再生能源转换设备，如太阳能微逆变器。
6. 高效 LED 驱动器，用于照明解决方案。
这款 GaN 晶体管凭借其卓越的性能表现，为各种高要求的应用场景提供了理想的解决方案。
CBW100505U220T, CBW100505U300T, TPH3200WSB
