型号：CBW100505U221T
　　制造商：Murata
　　封装/尺寸：0402（1005公制）
　　电容值：220pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　介质材料：X7R（推测）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15%（X7R）
　　直流偏压特性：随电压增加电容略有下降
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　等效串联电感（ESL）：极低
　　老化率：约2.5%/decade小时（X7R典型值）
　　结构类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　终端类型：镍阻挡层/锡涂层（Ni-Sn）
　　非磁性：可选或标准版本可能存在

CBW100505U221T作为一款小型化、高性能的多层陶瓷电容器，具备出色的温度稳定性和频率响应能力。其采用X7R类介电材料，在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容变化率可控制在±15%以内，确保了在各种环境条件下工作的可靠性。尽管X7R材料相比C0G/NP0具有一定的电压依赖性和老化效应，但其较高的介电常数使得在小尺寸下实现较大电容成为可能，因此非常适合需要一定电容值但又受空间限制的设计需求。该器件的0402封装使其能够适应高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他紧凑型电子系统。
　　该电容器具有极低的等效串联电感（ESL）和较低的等效串联电阻（ESR），这使其在高频去耦和噪声滤波应用中表现出色。例如，在电源管理单元（PMU）输出端或高速数字IC的电源引脚附近使用时，能有效抑制高频噪声并提供瞬态电流支持。此外，村田先进的叠层工艺和材料控制技术保证了产品的一致性和长期稳定性，降低了批量生产中的失效风险。
　　CBW100505U221T还具备良好的机械强度和焊接耐热性，符合回流焊工艺要求，并通过了AEC-Q200等可靠性标准测试（视具体系列而定）。其端子采用镍阻挡层和锡涂层结构，提供了优良的可焊性和抗迁移性能，有助于防止银离子迁移导致的短路问题。此外，部分批次可能提供非磁性版本，适用于对磁场敏感的射频电路或医疗设备中。整体而言，该器件在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡，是现代电子设计中常用的通用型贴片电容之一。

CBW100505U221T广泛应用于各类需要稳定电容性能的小型电子设备中。在移动通信领域，它常用于手机、Wi-Fi模块和蓝牙模组中的射频匹配网络、LC滤波器和旁路电路，利用其小尺寸和良好高频特性提升信号完整性。在消费类电子产品如智能手表、耳机和TWS设备中，该电容用于电源去耦、音频信号耦合和传感器接口滤波，帮助实现轻薄化设计。
　　在数字集成电路方面，CBW100505U221T可用于微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚去耦，配合其他容值的电容构成多级滤波网络，以降低电源噪声并提高系统稳定性。此外，在DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出端，该器件也可作为高频噪声抑制元件，提升电源效率和动态响应。
　　工业控制和汽车电子中，虽然高温环境可能要求更严格的规格，但在非关键部位仍可采用此类X7R电容进行信号调理、时钟电路滤波或接口保护。特别是在车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块等对空间敏感的应用中，其小型化优势尤为突出。同时，由于其符合RoHS和无卤素等环保标准，满足现代电子产品对绿色制造的要求，因此也被广泛用于医疗设备、物联网节点和便携式仪器等对可靠性和合规性有较高要求的领域。