CBW100505U121T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用小型化封装,能够显著提升功率密度并降低系统损耗。其主要用途包括电源适配器、快充设备以及高效率DC-DC转换器等。该器件在高频工作环境下表现优异,同时具备低导通电阻和快速开关特性。
型号:CBW100505U121T
封装形式:QFN 5x5mm
额定电压:650V
额定电流:12A
导通电阻:80mΩ
开关频率:最高可达3MHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
隔离耐压:1500Vrms
静态电流:典型值10μA
动态特性:快速恢复时间小于40ns
CBW100505U121T 的核心优势在于其氮化镓材料带来的性能突破。
1. 高效功率传输:得益于极低的导通电阻和开关损耗,可实现超过95%的系统效率。
2. 高频操作能力:支持高达3MHz的工作频率,从而允许使用更小尺寸的磁性元件。
3. 热性能卓越:芯片具备出色的热管理能力,即使在高负载下也能保持较低的工作温度。
4. 小型化设计:紧凑的5x5mm QFN封装使其非常适合空间受限的应用场景。
5. 可靠性强:通过了严格的电气及环境测试,确保长期稳定运行。
CBW100505U121T 主要应用于以下领域:
1. USB-PD快充头:满足现代消费电子对快速充电的需求。
2. 开关电源(SMPS):适用于电视、计算机和其他家电设备中的电源模块。
3. 工业级DC-DC转换器:用于通信基站、服务器和网络设备中的高效能量转换。
4. LED驱动器:为高亮度LED照明提供稳定的电流输出。
5. 充电桩模块:助力电动汽车充电桩实现快速充电功能。
CEW100505U121T
CXW100505U121T