时间：2025/4/28 16:08:08
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CBW100505U110T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频率、高效率功率开关器件，主要用于电源转换和高频逆变应用。该器件采用增强型 GaN FET 技术，具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减小整体设计尺寸。
CBW100505U110T 的封装形式为紧凑型表面贴装（SMD），适合高密度 PCB 设计。其高工作频率允许使用更小的磁性元件和滤波器，从而进一步降低系统的成本和体积。
型号：CBW100505U110T
类型：增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管
漏源电压：650V
连续漏极电流：110A
导通电阻：4.5mΩ
栅极驱动电压：6V（典型值）
最大工作结温：175°C
封装：TO-247-3L
CBW100505U110T 具有以下主要特性：
1. 高效的功率转换能力，适用于高频开关应用。
2. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，提升整体效率。
3. 快速开关速度，支持高达 MHz 级的工作频率。
4. 耐高温性能出色，最高工作结温可达 175°C。
5. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的可靠性。
6. 小型化的封装设计，节省电路板空间。
这些特性使得 CBW100505U110T 在需要高效率和高功率密度的应用中表现优异。
CBW100505U110T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主功率级开关。
2. 太阳能逆变器的核心功率开关元件。
3. 电动车辆（EV）车载充电器和 DC-DC 转换器。
4. 工业电机驱动和伺服控制中的功率模块。
5. 数据中心电源单元（PSU）以实现高效能量传输。
6. 消费类快充适配器，提供更高的充电效率和更小的设计尺寸。
由于其高效率和高频特性，CBW100505U110T 成为现代功率电子应用的理想选择。
CBA100606U110T
GXT100505H110R
EFG650U110AG
