尺寸（英制）：0402
　　尺寸（公制）：1005
　　电容值：1000pF (1nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡涂层（Ni-Sn）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）

CBW100505U102T所采用的X7R陶瓷介质赋予了其优异的温度稳定性和电性能一致性。X7R是一种稳定的铁电材料，能够在-55°C到+125°C的极端温度条件下维持电容值的变化不超过±15%，这一特性使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，如电源管理模块、射频前端电路以及精密模拟信号处理系统中。相较于Z5U或Y5V等其他介电材料，X7R在温度稳定性、老化率和频率响应方面表现更优，虽然其介电常数低于高K材料，但足以支持中等容量需求下的小型化设计。
　　该电容器的结构基于多层叠压工艺，通过将陶瓷介质与内电极交替堆叠并高温共烧而成，从而实现高可靠性和低等效串联电阻（ESR）。这种结构不仅提升了器件的机械强度，还显著增强了其抗热冲击和抗弯曲能力，有效防止在PCB焊接或使用过程中因应力导致的裂纹失效。此外，由于其小尺寸0402封装，CBW100505U102T能够在有限的空间内实现高效布局，特别适用于智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品中的高密度集成设计。
　　电气方面，该器件具备50V的工作电压，足以应对大多数低压直流供电环境下的去耦和滤波任务。例如，在数字IC的电源引脚附近用作去耦电容时，它能有效抑制高频噪声，稳定供电电压，提升系统整体抗干扰能力。同时，其较低的等效串联电感（ESL）也保证了在GHz频段仍具有良好的阻抗特性，适合高速数字电路和射频应用。另外，CBW100505U102T经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）和耐焊接热测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。其端电极为三层电极结构（Ni阻挡层+SAC涂层），提供优良的可焊性与耐腐蚀性，兼容无铅回流焊工艺，符合现代环保制造标准。

CBW100505U102T因其小型化、高稳定性和良好高频响应，被广泛应用于各类电子设备中。在移动通信领域，常用于手机、平板电脑和无线模块中的射频匹配网络、LC滤波器和谐振电路，发挥其在GHz频段下低损耗的优势；在电源管理系统中，作为DC-DC转换器输出端的滤波电容或IC电源引脚的去耦元件，有效降低电压纹波和瞬态干扰，提高电源效率与系统稳定性。
　　在消费类电子产品如智能手表、耳机和物联网终端中，该电容器凭借其紧凑的0402封装，帮助实现极致轻薄化设计。在计算机主板、显卡和内存条上，CBW100505U102T可用于高速信号线路的耦合与旁路，保障数据传输完整性。此外，在工业控制、汽车电子（非引擎舱）和医疗监测设备中，其宽温特性和长期可靠性确保了在复杂电磁环境和温度波动下的正常工作。
　　由于其标准化参数和广泛供货渠道，CBW100505U102T也成为研发阶段常用的通用型MLCC，便于工程师进行快速原型验证和批量生产。无论是用于模拟前端滤波、时钟电路匹配，还是数字逻辑电路的噪声抑制，该器件均表现出色，是现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

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　　 "GRM155R71H102KA88D",
　　 "CL10A102KO8NNNC",
　　 "C1005X7R1H102K"
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