时间：2025/5/26 19:07:22
阅读：9
CBTD3384PW 是一款高性能的双通道低导通电阻 N 沟道逻辑 级增强型 MOSFET，主要用于需要高效率、快速开关和低损耗的应用场景。该器件采用了先进的制程技术，确保了在高频开关条件下的出色表现。
CBTD3384PW 集成了两个独立的 MOSFET，分别具有极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
型号：CBTD3384PW
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 条件下）
IDS（连续漏极电流）：60A
VGS（栅源电压）：±20V
功耗：225W
封装：TO-263-7（D2PAK-7）
CBTD3384PW 提供了以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗。
2. 双通道设计，适合需要同时控制多个负载或电路的应用。
3. 快速开关能力，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和其他高效能需求的电路。
4. 高电流处理能力，支持高达60A的持续电流输出。
5. 良好的热性能，具备更高的稳定性和可靠性。
6. 支持宽范围的工作电压，确保在不同应用场景中的适应性。
7. 符合RoHS标准，绿色环保。
CBTD3384PW 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动和电池管理系统的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 通信设备中的高效功率分配。
5. 汽车电子系统中的大电流开关应用。
6. 其他需要低损耗、快速开关的功率转换和控制场合。
CBTD3385PW
IRLR7843PBF
FDP6680
