CBTD3384PW,112 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的双极型晶体管阵列集成电路。该器件集成了多个晶体管,能够用于各种模拟和数字电路应用中。CBTD3384PW,112采用了先进的制造工艺,具有高性能和稳定性,适用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
类型:晶体管阵列
晶体管类型:NPN/PNP
集电极电流(最大):100 mA
集射极电压(最大):80 V
功耗:300 mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TSSOP
引脚数:16
CBTD3384PW,112晶体管阵列的主要特性包括其高集成度和紧凑的封装设计,这使得它在空间受限的应用中非常有用。该器件集成了多个晶体管,可以实现多种电路功能,如开关、放大和逻辑操作。此外,CBTD3384PW,112具有较低的功耗和较高的可靠性,能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
该器件的NPN和PNP晶体管组合提供了灵活性,允许设计者根据具体需求配置电路。每个晶体管都具有独立的引脚,便于连接和使用。CBTD3384PW,112的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其适用于极端温度条件下的应用,如汽车电子系统和工业控制设备。
在电气性能方面,CBTD3384PW,112的最大集电极电流为100 mA,最大集射极电压为80 V,这使得它能够处理中等功率的应用。其300 mW的功耗确保了在高密度电路设计中的热稳定性,减少了过热的风险。
CBTD3384PW,112晶体管阵列广泛应用于多个领域,包括工业自动化控制系统、汽车电子模块、消费电子产品和通信设备。在工业自动化中,CBTD3384PW,112可以用于驱动继电器、电机和传感器等负载,实现高效的信号处理和控制功能。在汽车电子系统中,它可用于发动机控制单元(ECU)、车身控制模块(BCM)以及车载娱乐系统等关键部件。此外,CBTD3384PW,112还适用于消费电子产品的设计,如智能家电、便携式设备和照明控制系统,提供可靠的电路解决方案。在通信设备中,该器件可用于信号放大和逻辑控制,确保数据传输的稳定性和可靠性。
CBTD3384PW,118, CBTD3384PW