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CBT3245D 发布时间 时间:2025/12/27 22:00:20 查看 阅读:13

CBT3245D是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高性能、低功耗的CMOS模拟开关集成电路,广泛应用于便携式消费类电子产品和通信设备中。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备优异的开关特性和信号完整性,能够在宽电压范围内稳定工作。CBT3245D内部集成了多个单刀双掷(SPDT)模拟开关,能够实现双向信号传输,适用于音频信号切换、视频信号路由、数据总线切换等多种应用场景。其封装形式为小型化的SC-70或SOT-23等表面贴装封装,适合高密度PCB布局设计。该芯片具有低导通电阻、低静态电流、快速开关响应时间等特点,能够在电池供电系统中有效延长续航时间。此外,CBT3245D具备良好的ESD保护能力,增强了在复杂电磁环境下的可靠性与稳定性。器件的工作温度范围通常为-40°C至+85°C,满足工业级应用需求。由于其出色的性能指标和高集成度,CBT3245D被广泛用于智能手机、平板电脑、便携式医疗设备、智能家居控制模块等领域。

参数

型号:CBT3245D
  制造商:ON Semiconductor (ONSEMI)
  器件类型:模拟开关
  通道数量:4路 SPDT
  供电电压范围:1.65V 至 5.5V
  导通电阻(R_ON):典型值 4Ω
  导通电阻平坦度:±0.5Ω
  关断泄漏电流:最大 1nA(@ 25°C)
  输入电容:约 15pF
  传播延迟时间:典型值 2ns
  静态电流:最大 1μA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SC-70-8 或 SOT-23-8

特性

CBT3245D的核心特性之一是其低导通电阻,典型值仅为4Ω,这确保了在信号切换过程中最小的信号衰减和失真,特别适用于对信号保真度要求较高的音频和高频模拟信号处理场景。由于采用了先进的CMOS工艺,该器件在整个工作电压范围内表现出稳定的R_ON特性,即使在低电源电压下也能维持良好的开关性能,从而保证系统在不同负载条件下的可靠运行。
  另一个关键特性是其极低的静态功耗,最大静态电流仅为1μA,使其非常适合用于电池供电的便携式设备中。这种低功耗设计不仅有助于延长设备的待机时间,还能减少热积累,提高系统的整体能效。此外,CBT3245D支持1.65V至5.5V的宽电源电压范围,兼容多种逻辑电平(如1.8V、3.3V、5V),便于与不同类型的微控制器、ADC/DAC或其他外设接口直接连接,无需额外的电平转换电路。
  该器件还具备出色的开关速度,传播延迟时间典型值为2ns,能够满足高速信号切换的需求。同时,其输入/输出端口具有高达2kV HBM的ESD保护等级,提升了在实际生产、运输和使用过程中的抗静电能力。所有开关均支持双向信号传输,增强了设计灵活性。在封装方面,SC-70或SOT-23的小型化封装显著节省了PCB空间,适用于紧凑型电子产品设计。

应用

CBT3245D常用于需要多路模拟信号切换的场合。在移动设备中,它可用于耳机插孔检测与音频路径切换,例如在扬声器与耳机之间自动切换输出通道,或实现麦克风输入选择功能。在便携式医疗仪器中,可用于传感器信号的选择与路由,将多个生物电信号源接入同一ADC进行采样。在通信系统中,该芯片可用于RF前端模块中的天线切换或滤波器选择电路。此外,在测试测量设备中,CBT3245D可用于构建多通道信号采集系统的前端 multiplexer 结构,实现对多个待测信号的轮流接入。由于其支持宽电压操作和低功耗特性,也广泛应用于工业传感器接口、电池管理系统(BMS)中的电压监测通道切换以及智能家居设备中的音频/视频信号管理模块。其高集成度和小尺寸封装使其成为空间受限应用的理想选择。

替代型号

SN74LVC1G3157DBVR
  TS3A5017DRCT
  FSA3157CUMX

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