CBS502403 时间：2025/12/28 12:27:35 阅读：14

CBS502403是一款高性能、低功耗的通信基站用射频功率放大器模块，专为4G LTE和5G NR无线通信基础设施设计。该器件由Cree（现Wolfspeed）公司推出，采用先进的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）半导体工艺制造，具备高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于宏基站、微波回传和大规模MIMO（Massive MIMO）系统等场景。CBS502403工作在2.4 GHz至2.7 GHz频段，覆盖了主流的Bands 7、30、41以及部分5G n41和n77频段，能够满足现代移动通信网络对高数据吞吐量和广覆盖的需求。该模块集成内部匹配电路，简化了外部设计，支持多种调制方式，包括OFDMA、SC-FDMA和高阶QAM，确保在复杂信号环境下仍能保持线性输出与低失真特性。此外，CBS502403具备完善的保护机制，如过温保护、过流保护和驻波比（VSWR）容错能力，提升了系统长期运行的可靠性。其封装形式为金属-陶瓷气密性封装，适合高温、高湿等恶劣环境下的部署，广泛应用于全球范围内的电信运营商基站设备中。

参数

制造商：Wolfspeed (原Cree)
　　型号：CBS502403
　　技术工艺：GaN-on-SiC
　　工作频率：2400 - 2700 MHz
　　饱和输出功率：50 W
　　小信号增益：24 dB
　　增益平坦度：±0.5 dB
　　静态工作电流：300 mA @ Vds=28V
　　漏极电压（Vds）：28 V
　　效率（PAE）：≥65% @ Pout=47dBm
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：螺栓安装式陶瓷金属封装
　　尺寸：约25.4 mm x 12.7 mm x 4.8 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

CBS502403采用Wolfspeed领先的GaN-on-SiC技术平台，赋予其卓越的射频性能和热管理能力。氮化镓材料具有宽禁带特性，使其能够在更高的电场强度下工作，从而实现更高的功率密度和击穿电压，而碳化硅衬底则提供了优异的导热性能，显著降低了结温上升速度，延长了器件寿命。这种组合使得CBS502403在连续波（CW）和脉冲工作模式下均表现出稳定的输出能力和高可靠性。
　　该器件的小信号增益高达24 dB，在整个2.4–2.7 GHz频段内增益波动控制在±0.5 dB以内，确保信号放大的一致性与系统链路预算的可预测性。其典型漏极效率超过65%，在典型操作条件下（如47 dBm输出功率）仍能维持较低的直流功耗，有助于降低基站整体能耗，符合绿色通信的发展趋势。此外，模块内置输入和输出匹配网络，减少了外围元件数量，简化了PCB布局设计，缩短产品开发周期。
　　CBS502403还具备良好的线性度表现，在使用数字预失真（DPD）技术时可有效抑制邻道泄漏比（ACLR），满足严格的3GPP发射标准。其高输出三阶交调截点（OIP3）进一步增强了多载波应用中的信号保真度。器件外壳采用电磁屏蔽设计，减少射频泄露，提升系统的EMI兼容性。同时，它支持双向VSWR耐受能力，在天线端口存在一定程度失配的情况下仍能安全运行，避免因反射功率过高导致损坏。
　　为了适应严苛的野外运行环境，CBS502403通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温高湿反向偏置（H3TRB）和功率循环测试，验证其在长期高温、潮湿及温度剧烈变化条件下的稳定性。其螺栓安装结构确保与散热器之间形成良好的热接触，便于构建高效的热管理系统。综上所述，CBS502403是一款面向未来通信需求的高端射频功率放大器解决方案，兼顾高性能、高可靠性和易集成性。

应用

CBS502403主要应用于第四代和第五代移动通信系统的射频前端模块，特别适用于分布式基站（Remote Radio Head, RRH）、有源天线系统（AAS）以及大规模MIMO阵列。其高效率和宽带特性使其成为FDD和TDD模式下2.6 GHz频段基站的理想选择，广泛用于城市密集区、交通枢纽和农村广覆盖等不同场景的无线接入网络建设。此外，该器件也适用于专用无线网络、公共安全通信系统和固定无线接入（FWA）设备，在需要高功率、高线性度射频放大的场合发挥关键作用。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，CBS502403同样适合部署在户外小型基站和塔顶放大器中，支持运营商实现灵活组网和容量扩展。