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CBR08C908A1GAC 发布时间 时间:2025/6/19 16:42:30 查看 阅读:2

CBR08C908A1GAC 是一款高性能的肖特基二极管阵列(Schottky Diode Array),专为高频和高速开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低正向压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力的特点。它通常用于保护电路免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件的影响,同时也能在信号切换和数据传输中提供优异的表现。
  CBR08C908A1GAC 的封装形式紧凑,适合于空间受限的设计场景,其引脚布局便于集成到各种电子设备中。此外,该器件符合 RoHS 标准,确保环保和安全性能。

参数

型号:CBR08C908A1GAC
  类型:肖特基二极管阵列
  最大反向电压:30V
  最大正向电流:160mA
  正向压降(典型值):0.25V
  反向漏电流(最大值,@25℃):1μA
  结电容(典型值):3pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23-6

特性

CBR08C908A1GAC 具有以下显著特性:
  1. 低正向电压降,有助于降低功耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高静电防护能力,能够有效防止 ESD 对敏感电子设备的损害。
  4. 小型化封装,节省 PCB 空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
  5. 可靠性高,能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。
  6. 符合国际环保标准(RoHS),适合绿色产品设计。

应用

CBR08C908A1GAC 广泛应用于以下领域:
  1. 数据线保护:如 USB、HDMI 和其他高速接口中的信号保护。
  2. 通信设备:手机、路由器、调制解调器等设备中的瞬态电压抑制。
  3. 消费类电子产品:音频设备、平板电脑、数码相机等中的静电防护。
  4. 工业控制:保护传感器输入输出端口免受电压尖峰影响。
  5. 汽车电子:车载娱乐系统、导航设备中的抗干扰保护组件。
  6. 医疗设备:监护仪、超声波仪器等关键设备中的信号完整性保障。

替代型号

CBR08C906A1GAC
  CBR08C907A1GAC
  SM712
  PESD5V0S1B

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CBR08C908A1GAC参数

  • 数据列表CBR08C908A1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容0.90pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-