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CBR08C339A5GAC 发布时间 时间:2025/6/27 2:30:18 查看 阅读:4

CBR08C339A5GAC是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基整流二极管。该器件采用先进的制造工艺,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适合高频开关电源、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等应用。其封装形式为DPAK (TO-263),能够提供较高的电流承载能力和良好的散热性能。
  CBR08C339A5GAC属于CBR系列的肖特基二极管,具有出色的效率表现和可靠性,适用于需要高效能量转换的电路设计。

参数

最大正向电流:8A
  峰值反向电压:339V
  正向压降(典型值):0.7V
  反向恢复时间:小于100ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  热阻(结到壳):2°C/W

特性

CBR08C339A5GAC的主要特性包括以下几点:
  1. 超低正向压降,可减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速反向恢复时间,使其非常适合高频应用。
  3. 高额定电压和电流能力,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  4. TO-263封装提供了优秀的散热性能和机械稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 在高温条件下仍能保持稳定的电气性能,适用于工业和汽车领域。

应用

CBR08C339A5GAC广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流功能。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 太阳能逆变器中的升压二极管。
  4. 汽车电子设备中的保护电路。
  5. 工业控制系统的电源管理部分。
  6. LED驱动器和其他需要高效率二极管的应用。

替代型号

CBR08C339A5GAC的替代型号包括:
  NBR08C339A5GAC
  STTH8L339W
  FBR08C339A

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CBR08C339A5GAC参数

  • 数据列表CBR08C339A5GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容3.3pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-