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CBR06C908B1GAC 发布时间 时间:2025/7/14 13:36:34 查看 阅读:10

CBR06C908B1GAC 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基二极管,专为高频和高效应用设计。该器件具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等场景。其封装形式为 DPAK,能够提供良好的散热性能和电气特性。
  该型号属于 SiC 肖特基二极管系列,旨在满足现代电力电子系统对高效率和高可靠性的需求。

参数

最大反向电压:900V
  正向电流:6A
  正向压降:≤1.3V(典型值@25°C)
  反向恢复时间:≤50ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  热阻(结到外壳):30°C/W
  封装类型:DPAK

特性

CBR06C908B1GAC 的核心特性在于其采用碳化硅材料制造,相比传统的硅基二极管,具备更低的开关损耗和更高的工作温度能力。
  1. 高频性能:由于其极短的反向恢复时间,该器件非常适合高频开关应用。
  2. 高效运行:低正向压降减少了导通损耗,从而提高了整体系统效率。
  3. 高温适应性:支持高达 175°C 的结温,使得其能够在严苛环境下稳定工作。
  4. 良好的可靠性:碳化硅材料的固有优势使其在长期使用中表现出更高的耐用性和稳定性。
  5. 散热优化:DPAK 封装设计有助于更好地将热量传导至散热片或 PCB 上。

应用

CBR06C908B1GAC 广泛应用于需要高性能和高效率的电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS):
   - AC-DC 转换器中的整流部分
   - PFC(功率因数校正)电路
  2. DC-DC 转换器:
   - 汽车电子中的电压调节模块
   - 工业设备中的电源管理
  3. 太阳能逆变器:
   - 提高能量转换效率
  4. 电机驱动:
   - 快速切换和低损耗要求的场合
  5. 充电桩:
   - 高效直流充电解决方案中的关键组件

替代型号

CBR06C908B1GA, CBR06C908B1GACR1, STTH9L06ZP

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CBR06C908B1GAC参数

  • 数据列表CBR06C908B1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容0.90pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.034"(0.87mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-