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CBR06C708AAGAC 发布时间 时间:2025/6/5 16:08:27 查看 阅读:8

CBR06C708AAGAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件,适用于高频和高功率应用。该器件采用增强型 GaN FET 结构,提供低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下实现更高的系统效率和功率密度。
  其封装形式为贴片式,适合表面贴装工艺,广泛应用于电源管理、工业控制、通信设备以及新能源领域。

参数

型号:CBR06C708AAGAC
  类型:GaN 功率开关
  最大漏源电压 (Vds):650V
  导通电阻 (Rds(on)):80mΩ
  最大电流 (Id):12A
  栅极阈值电压 (Vgs(th)):1.3V~2.3V
  连续工作温度范围:-55℃~+150℃
  封装形式:DFN8
  工作频率:支持高达 MHz 级别

特性

CBR06C708AAGAC 的主要特性包括:
  1. 采用先进的氮化镓技术,具备低导通电阻和极小的开关损耗,适合高频高效应用。
  2. 提供出色的热性能,能够有效降低散热设计的复杂度。
  3. 高可靠性设计,支持宽温度范围运行。
  4. 封装紧凑,易于集成到各种高密度电路板中。
  5. 内置静电保护功能,提高器件在实际应用中的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 支持零电压开关 (ZVS) 和硬开关两种模式,适应多种拓扑结构。

应用

CBR06C708AAGAC 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - AC/DC 转换器
   - DC/DC 转换器
  2. 充电器:
   - 快速充电器
   - 便携式设备充电解决方案
  3. 电机驱动:
   - 工业伺服驱动
   - 消费级电机控制器
  4. 太阳能逆变器:
   - 微型逆变器
   - 最大功率点跟踪 (MPPT) 控制
  5. 通信电源:
   - 基站电源
   - 数据中心供电模块
  6. 其他高频功率转换场景。

替代型号

CBR06C650AAGAC, CBR06C808AAGAC

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CBR06C708AAGAC参数

  • 数据列表CBR06C708AAGAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容0.70pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.034"(0.87mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-