时间：2025/6/5 16:08:27
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CBR06C708AAGAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，适用于高频和高功率应用。该器件采用增强型 GaN FET 结构，提供低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下实现更高的系统效率和功率密度。
其封装形式为贴片式，适合表面贴装工艺，广泛应用于电源管理、工业控制、通信设备以及新能源领域。
型号：CBR06C708AAGAC
类型：GaN 功率开关
最大漏源电压 (Vds)：650V
导通电阻 (Rds(on))：80mΩ
最大电流 (Id)：12A
栅极阈值电压 (Vgs(th))：1.3V~2.3V
连续工作温度范围：-55℃~+150℃
封装形式：DFN8
工作频率：支持高达 MHz 级别
CBR06C708AAGAC 的主要特性包括：
1. 采用先进的氮化镓技术，具备低导通电阻和极小的开关损耗，适合高频高效应用。
2. 提供出色的热性能，能够有效降低散热设计的复杂度。
3. 高可靠性设计，支持宽温度范围运行。
4. 封装紧凑，易于集成到各种高密度电路板中。
5. 内置静电保护功能，提高器件在实际应用中的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 支持零电压开关 (ZVS) 和硬开关两种模式，适应多种拓扑结构。
CBR06C708AAGAC 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 充电器：
- 快速充电器
- 便携式设备充电解决方案
3. 电机驱动：
- 工业伺服驱动
- 消费级电机控制器
4. 太阳能逆变器：
- 微型逆变器
- 最大功率点跟踪 (MPPT) 控制
5. 通信电源：
- 基站电源
- 数据中心供电模块
6. 其他高频功率转换场景。
CBR06C650AAGAC, CBR06C808AAGAC
