时间：2025/6/22 3:37:17
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CBR06C399BAGAC 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，主要用于高频率和高效率的电源应用。该芯片将驱动电路与增强模式 GaN FET 集成在一起，能够显著简化设计并提高整体性能。其优化的 Rds(on) 和栅极驱动特性使其非常适合高频开关应用，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC 等。
这款器件采用小型化的 QFN 封装形式，具有低寄生电感和出色的散热性能。
型号：CBR06C399BAGAC
封装：QFN 8x8mm
Rds(on)：25mΩ
电压等级：650V
最大工作温度：175°C
栅极电荷：4.8nC
连续漏极电流：9A
功耗：22W
热阻：1.2°C/W
CBR06C399BAGAC 的主要特性包括高效的功率密度、快速的开关速度以及低导通电阻。它内置了保护功能，如过流保护和过温关断等，从而提高了系统可靠性。
该器件还支持高达 2MHz 的开关频率，同时具备非常低的输入和输出电容，可减少开关损耗。
GaN 技术的应用使得 CBR06C399BAGAC 在尺寸更小的情况下提供更高的效率和更好的动态性能。此外，其集成的设计降低了 PCB 布局复杂度，并减少了外围元件数量。
CBR06C399BAGAC 广泛应用于各种高效率电力电子设备中，例如消费类电子产品中的快充适配器、数据中心服务器电源、电信整流模块以及工业自动化领域的高密度电源供应器。
在 AC-DC 应用中，它可以用于无桥图腾柱功率因数校正（PFC）拓扑；而在 DC-DC 转换器中，则适用于 LLC 或硬开关反激式拓扑结构。
由于其高性能表现，CBR06C399BAGAC 成为下一代高效能电源解决方案的理想选择。
CBR06C399BAGACD, CBR06C399BAGACE
