时间：2025/6/21 4:09:05
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CBR06C220FAGAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频开关功率晶体管。它采用常关型 (enhancement-mode) 设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高性能电源转换应用。
该器件集成了先进的 GaN 工艺，能够在高频工作条件下实现更高的能效和更小的系统尺寸。其封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产。
型号：CBR06C220FAGAC
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：220mΩ
开关速度：超快
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3L
CBR06C220FAGAC 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（220mΩ），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
3. 超快开关速度，允许在高频操作下保持高效率，同时缩小无源元件体积。
4. 增强型设计确保了器件在默认情况下关闭，增强了系统的安全性和可靠性。
5. 良好的热性能和高工作温度范围（最高至 175℃），适用于高温应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于多个领域，例如：
1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器和升压/降压电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块。
4. 电动车(EV) 充电桩及车载充电器。
5. 工业电机驱动和机器人控制。
6. 电信基础设施中的高效电源解决方案。
由于其高频特性和高效率，CBR06C220FAGAC 在需要紧凑设计和高功率密度的应用中表现尤为突出。
CBR06C220FAGAB, CBR06C220FAGAD
