CBR06C200G1GAC 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基二极管,专为高效率和高频开关应用设计。该器件采用先进的 SiC 材料技术,具有低正向压降、快速恢复时间和出色的热性能,使其非常适合用于新能源汽车、工业电源、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该型号属于 CBR 系列,以卓越的可靠性和稳定性著称。其封装形式通常为表面贴装(SMD),便于自动化生产并减少寄生电感的影响。
额定电压:650V
额定电流:200A
正向压降 (Vf):1.4V(典型值,在 If=200A 时)
反向恢复时间 (trr):小于 50ns
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:D2PAK (TO-263)
功耗:约 280W(在额定条件下)
CBR06C200G1GAC 的主要特性包括:
1. 使用碳化硅材料,具备更高的开关速度和更低的能量损耗。
2. 零反向恢复电荷 (Qrr),有助于降低开关损耗。
3. 超低正向压降,提升整体系统效率。
4. 支持高达 175°C 的工作温度,确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 优异的热性能,可有效减少散热需求。
6. 高频操作能力,适用于高频功率变换电路。
这些特点使得该二极管成为高功率密度应用的理想选择。
CBR06C200G1GAC 广泛应用于以下领域:
1. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
2. 电动汽车(EV)充电基础设施中的功率模块。
3. 工业电机驱动和不间断电源(UPS)系统。
4. 开关电源(SMPS)及高频整流电路。
5. 风力发电和其他可再生能源系统中的功率转换。
其高性能和高可靠性使它特别适合于要求严格的功率转换场景。
CBR06C150G1GAC, CBR06C200G1GAJ, STmicroelectronics SCT200N65G2, Infineon CoolSiC? G2H系列