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CBR06C200G1GAC 发布时间 时间:2025/5/15 12:38:05 查看 阅读:8

CBR06C200G1GAC 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基二极管,专为高效率和高频开关应用设计。该器件采用先进的 SiC 材料技术,具有低正向压降、快速恢复时间和出色的热性能,使其非常适合用于新能源汽车、工业电源、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  该型号属于 CBR 系列,以卓越的可靠性和稳定性著称。其封装形式通常为表面贴装(SMD),便于自动化生产并减少寄生电感的影响。

参数

额定电压:650V
  额定电流:200A
  正向压降 (Vf):1.4V(典型值,在 If=200A 时)
  反向恢复时间 (trr):小于 50ns
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:D2PAK (TO-263)
  功耗:约 280W(在额定条件下)

特性

CBR06C200G1GAC 的主要特性包括:
  1. 使用碳化硅材料,具备更高的开关速度和更低的能量损耗。
  2. 零反向恢复电荷 (Qrr),有助于降低开关损耗。
  3. 超低正向压降,提升整体系统效率。
  4. 支持高达 175°C 的工作温度,确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 优异的热性能,可有效减少散热需求。
  6. 高频操作能力,适用于高频功率变换电路。
  这些特点使得该二极管成为高功率密度应用的理想选择。

应用

CBR06C200G1GAC 广泛应用于以下领域:
  1. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
  2. 电动汽车(EV)充电基础设施中的功率模块。
  3. 工业电机驱动和不间断电源(UPS)系统。
  4. 开关电源(SMPS)及高频整流电路。
  5. 风力发电和其他可再生能源系统中的功率转换。
  其高性能和高可靠性使它特别适合于要求严格的功率转换场景。

替代型号

CBR06C150G1GAC, CBR06C200G1GAJ, STmicroelectronics SCT200N65G2, Infineon CoolSiC? G2H系列

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CBR06C200G1GAC参数

  • 数据列表CBR06C200G1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容20pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.034"(0.87mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-