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CBR04C829C5GAC 发布时间 时间:2025/7/4 0:54:09 查看 阅读:8

CBR04C829C5GAC是一款高性能的射频(RF)功率晶体管,广泛应用于无线通信领域中的功率放大器设计。该器件采用先进的硅锗(SiGe)技术制造,具有高增益、高线性度和低失真的特点。它能够在高频段提供稳定的功率输出,同时保持较高的效率,非常适合现代通信系统的需求。
  这款晶体管主要面向蜂窝基站、点对点无线电以及其他无线基础设施应用。其封装形式为表面贴装(SMD),便于自动化生产和集成到紧凑型电路板中。

参数

型号:CBR04C829C5GAC
  类型:射频功率晶体管
  频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
  增益:15 dB(典型值)
  饱和功率(Psat):38 dBm(最小值)
  线性功率(ACLRR=–45dBc):33 dBm(典型值)
  效率(PAE):40%(典型值)
  输入匹配网络:12.5+j16 Ω
  输出匹配网络:12.5-j12 Ω
  工作电压:28 V
  静态电流:100 mA(最大值)
  封装形式:SMD
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

CBR04C829C5GAC晶体管具备以下显著特性:
  1. 高性能:在指定的工作频率范围内,能够提供高增益和高线性功率输出,确保信号质量。
  2. 高效率:通过优化设计,在提供大功率输出的同时保持较高的功率附加效率(PAE),从而减少热量生成并提高系统的整体能效。
  3. 稳定性:经过严格的测试验证,即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能表现。
  4. 易于设计:内置输入/输出匹配网络,简化了外部匹配电路的设计复杂度,降低了设计难度。
  5. 可靠性:采用坚固耐用的材料制成,并通过多种可靠性测试,保证长期使用中的稳定性。
  6. 小尺寸:表面贴装封装使其非常适合用于空间受限的应用环境,同时支持高效的批量生产。

应用

CBR04C829C5GAC晶体管适用于以下应用场景:
  1. 蜂窝基站:为2G、3G及4G LTE基站的功率放大器提供关键组件。
  2. 点对点无线电通信:支持长距离、高质量的无线数据传输。
  3. WiMAX和其他宽带无线接入系统:满足新兴无线通信标准对于功率和线性度的要求。
  4. 测试与测量设备:作为高性能信号源的一部分,提供精确可控的功率输出。
  5. 军事及航空航天领域:用于雷达、卫星通信等要求苛刻的场合。

替代型号

CBR04C829C5GAD, CBR04C829C5GAE

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CBR04C829C5GAC参数

  • 数据列表CBR04C829C5GAC
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容8.2pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.040" L x 0.020" W(1.01mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-