时间：2025/7/4 0:54:09
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CBR04C829C5GAC是一款高性能的射频(RF)功率晶体管，广泛应用于无线通信领域中的功率放大器设计。该器件采用先进的硅锗(SiGe)技术制造，具有高增益、高线性度和低失真的特点。它能够在高频段提供稳定的功率输出，同时保持较高的效率，非常适合现代通信系统的需求。
这款晶体管主要面向蜂窝基站、点对点无线电以及其他无线基础设施应用。其封装形式为表面贴装(SMD)，便于自动化生产和集成到紧凑型电路板中。
型号：CBR04C829C5GAC
类型：射频功率晶体管
频率范围：1710 MHz 至 2170 MHz
增益：15 dB（典型值）
饱和功率(Psat)：38 dBm（最小值）
线性功率(ACLRR=–45dBc)：33 dBm（典型值）
效率(PAE)：40%（典型值）
输入匹配网络：12.5+j16 Ω
输出匹配网络：12.5-j12 Ω
工作电压：28 V
静态电流：100 mA（最大值）
封装形式：SMD
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CBR04C829C5GAC晶体管具备以下显著特性：
1. 高性能：在指定的工作频率范围内，能够提供高增益和高线性功率输出，确保信号质量。
2. 高效率：通过优化设计，在提供大功率输出的同时保持较高的功率附加效率(PAE)，从而减少热量生成并提高系统的整体能效。
3. 稳定性：经过严格的测试验证，即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能表现。
4. 易于设计：内置输入/输出匹配网络，简化了外部匹配电路的设计复杂度，降低了设计难度。
5. 可靠性：采用坚固耐用的材料制成，并通过多种可靠性测试，保证长期使用中的稳定性。
6. 小尺寸：表面贴装封装使其非常适合用于空间受限的应用环境，同时支持高效的批量生产。
CBR04C829C5GAC晶体管适用于以下应用场景：
1. 蜂窝基站：为2G、3G及4G LTE基站的功率放大器提供关键组件。
2. 点对点无线电通信：支持长距离、高质量的无线数据传输。
3. WiMAX和其他宽带无线接入系统：满足新兴无线通信标准对于功率和线性度的要求。
4. 测试与测量设备：作为高性能信号源的一部分，提供精确可控的功率输出。
5. 军事及航空航天领域：用于雷达、卫星通信等要求苛刻的场合。
CBR04C829C5GAD, CBR04C829C5GAE
