时间：2025/6/3 13:06:24
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CBR04C819B5GAC是一款高性能的射频功率晶体管，主要用于无线通信领域中的射频放大器设计。该器件采用先进的LDMOS工艺制造，能够在高频段提供高效率和高增益的性能表现。
这款晶体管适用于基站、雷达系统以及其他需要大功率输出的应用场景。其封装形式为陶瓷气密封装，具有良好的散热性能和可靠性。
型号：CBR04C819B5GAC
工作频率范围：700 MHz 至 3 GHz
输出功率（P3dB）：45 W
增益：12 dB
效率：60 %
供电电压：28 V
最大漏极电流：7.5 A
封装形式：陶瓷气密TO-247
存储温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
CBR04C819B5GAC具有以下显著特点：
1. 高效的能量转换能力，在整个工作频带内可保持较高的功率附加效率（PAE）。
2. 稳定性好，能够承受较高的VSWR负载失配而不损坏。
3. 内部匹配网络经过优化设计，便于用户在实际应用中实现简单的设计与调试。
4. 提供优异的线性度表现，适合用于对信号质量要求严格的现代通信系统。
5. 具备较强的抗ESD能力，提升了产品的可靠性和使用寿命。
6. 支持多载波操作，满足当前复杂调制模式的需求。
CBR04C819B5GAC广泛应用于以下领域：
1. 移动通信基站的射频功率放大器设计，支持包括LTE、WCDMA等在内的多种标准。
2. 微波点对点通信系统的功率放大模块。
3. 军用及民用雷达设备中的发射机部分。
4. 工业加热、等离子体激发以及其他非通信类的大功率射频应用。
5. 测试测量仪器中的信号源或功率放大组件。
CBR04C819B3GAC, CBR04C819B4GAC
