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CBR04C709B1GAC 发布时间 时间:2025/6/28 20:42:26 查看 阅读:7

CBR04C709B1GAC是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的高压MOSFET功率整流二极管。该二极管基于先进的快恢复技术,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特性,适合于开关电源、电机驱动器、逆变器以及其他高频功率转换应用。
  CBR系列二极管广泛应用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品中,其卓越的性能和可靠性使其成为设计工程师在高效率功率转换电路中的理想选择。

参数

最大重复峰值反向电压:700V
  最大平均正向整流电流:4A
  典型正向电压降(@ If=4A, Tj=25°C):1.0V
  最大反向恢复时间:90ns
  结电容(典型值):38pF
  工作结温范围:-55°C to +175°C
  存储温度范围:-65°C to +175°C
  封装形式:TO-220AC

特性

CBR04C709B1GAC采用快恢复二极管技术,具备以下主要特性:
  1. 高压支持能力:该器件的最大反向电压高达700V,可适用于多种高压应用场景。
  2. 快速反向恢复:典型反向恢复时间为90ns,能够显著降低开关损耗,提高系统效率。
  3. 低正向压降:在额定电流条件下,正向电压仅为1.0V,从而减少了导通时的能量损失。
  4. 宽温工作范围:支持从-55°C到+175°C的工作结温范围,确保了器件在极端环境下的稳定性。
  5. 小型化封装:TO-220AC封装形式既保证了散热性能,又节省了PCB空间,非常适合紧凑型设计。

应用

CBR04C709B1GAC二极管因其出色的性能而被广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):适用于各种类型的离线式开关电源,如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动:可用于直流无刷电机、步进电机等驱动电路中的整流和续流功能。
  3. 工业逆变器:在光伏逆变器、不间断电源(UPS)等工业设备中发挥关键作用。
  4. 汽车电子:可用于车载充电器、DC-DC转换器等汽车电子系统。
  5. 其他高频功率转换电路:包括PFC(功率因数校正)、LED驱动电源等领域。

替代型号

MBR40UM70T3G, STTH4R70WM, CBR04C709B1G

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CBR04C709B1GAC参数

  • 数据列表CBR04C709B1GAC
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容7.0pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称339-8673-6339-8673-6-ND399-8835-6