时间：2025/6/28 20:48:10
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CBR04C669B5GAC 是一款高性能的陶瓷电容器，适用于高频和射频应用。该型号属于 CBR 系列，采用多层陶瓷技术制造，具有低 ESR（等效串联电阻）和高 Q 值特性，能够在高频条件下提供优异的性能。
这种电容器广泛应用于通信设备、信号处理电路、滤波器设计以及其他需要高频稳定性的电子系统中。
容量：6.6nF
额定电压：50V
容差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：0402 (公制 1.0mm x 0.5mm)
介质材料：C0G (NP0)
ESR：≤5mΩ
Q 值：≥3000
CBR04C669B5GAC 使用 C0G（NP0）介质材料，因此具备极高的温度稳定性，其容量随温度的变化几乎可以忽略不计。
此外，该器件具有非常低的等效串联电阻 (ESR) 和损耗因数，这使得它非常适合用于高频滤波、耦合和去耦等场景。
它的紧凑尺寸（0402 封装）允许在高密度 PCB 设计中使用，而不会占用过多空间。
由于采用了多层陶瓷结构，CBR04C669B5GAC 还能够承受较高的脉冲电流，并保持稳定的电气性能。
CBR04C669B5GAC 通常用于以下领域：
1. 高频滤波器设计
2. 射频信号调理
3. 振荡器和定时电路
4. 高速数据传输系统的电源去耦
5. 医疗设备中的信号隔离
6. 无线通信模块
7. 工业控制系统的噪声抑制
8. 车载电子系统的高频电路部分
CBR04C669B5GACT
GRM152R71C660JL01D
KMC04C669B5GAC
