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CBR04C189C1GAC 发布时间 时间:2025/12/23 8:51:01 查看 阅读:57

CBR04C189C1GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,广泛应用于高频、高压和高效率的功率转换电路中。该器件具有低正向压降、快速恢复时间和高浪涌电流能力等特性,非常适合用于开关电源、逆变器、电机驱动器以及太阳能逆变器等应用领域。
  这款二极管采用先进的 SiC 材料技术制造,能够在高温环境下保持稳定的性能,并且具备更高的效率和可靠性。

参数

最大反向电压:1200V
  正向额定电流:4A
  典型正向压降:1.5V
  最大反向漏电流:10μA
  结电容:30pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CBR04C189C1GAC 的主要特性包括:
  1. 使用碳化硅材料,提供更优异的热性能和电气性能。
  2. 正向压降低,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  3. 快速恢复时间(几乎为零),使得其适合高频开关应用。
  4. 高温操作能力,支持在极端温度环境下的可靠运行。
  5. 出色的浪涌电流能力,确保在异常条件下仍能正常工作。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装设计。

应用

CBR04C189C1GAC 主要应用于以下场景:
  1. 开关电源中的整流和续流二极管。
  2. 太阳能逆变器中的高频功率转换模块。
  3. 电动汽车充电站和车载充电器的关键功率元件。
  4. 工业用电机驱动器和变频器的高效能量管理。
  5. 不间断电源(UPS)和其他需要高效率和高可靠性的电力电子设备。
  6. LED 照明系统的驱动电路中作为高效的整流元件。

替代型号

CBR04C120D1GAC, CBR04C180C1GAC, CBR06C189C1GAC

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CBR04C189C1GAC参数

  • 数据列表CBR04C189C1GAC
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容1.8pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.040" L x 0.020" W(1.01mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-