时间：2025/7/11 23:28:19
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CBR02C909B5GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频开关功率晶体管，专为电源转换和射频应用而设计。该器件采用常关型增强模式 GaN HEMT 结构，提供卓越的导通电阻和开关性能。其封装形式为紧凑的表面贴装类型，非常适合空间受限的设计环境。
CBR02C909B5GAC 的主要优势在于它的低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。此外，由于氮化镓材料的特性，它能够在更高的频率下工作，从而减少无源元件（如电感器和变压器）的尺寸和成本。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：2A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：15nC
开关频率：高达3MHz
工作温度范围：-40℃至+125℃
CBR02C909B5GAC 的核心特点是采用了先进的氮化镓技术，使其具备以下突出性能：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，可实现高频操作，从而减小磁性元件体积。
3. 高击穿电压能力，确保在高压环境下稳定运行。
4. 小巧的封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
5. 优异的热性能，即使在高温条件下也能保持高效运行。
6. 内置ESD保护功能，提高器件的可靠性和耐用性。
总体而言，这款器件特别适合需要高效率和高功率密度的应用场景。
CBR02C909B5GAC 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 无线充电设备：利用其高频特性来优化无线能量传输效率。
3. LED驱动器：为大功率LED照明提供高效稳定的电源管理。
4. 电动工具和家用电器：在这些产品中用作主功率开关以提升整体效能。
5. 工业自动化：用于各种电机驱动和控制电路。
6. 数据中心和通信设备中的电源模块：满足高性能计算和网络基础设施的需求。
CBR02C100B5GAC, CBR02C80B5GAC
