CBR02C709D3GAC 是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,具有高效率、低正向压降和快速开关特性。它适用于高频开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变器以及其他需要高效能量转换的应用场景。这款器件采用 TO-247 封装形式,能够承受较高的工作温度范围。
型号:CBR02C709D3GAC
类型:肖:碳化硅(SiC)
最大正向电压:1.5V
反向击穿电压:1200V
最大正向电流:2A
峰值反向电流:1μA
结电容:~15pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
CBR02C709D3GAC 具有以下显著特点:
1. 高效的性能得益于碳化硅材料的使用,能够在高频应用中减少开关损耗。
2. 超低的正向电压使其在能量转换过程中具备更高的效率。
3. 快速恢复时间几乎为零,适合高频开关电路。
4. 极低的漏电流确保了其在高温下的稳定性和可靠性。
5. 可以在高达 175°C 的结温下正常运行,非常适合恶劣环境下的应用。
该芯片广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的场合,例如:
1. 高频开关电源设计中的整流或续流功能。
2. 新能源领域,如太阳能逆变器和风能转换系统。
3. 汽车电子中的 DC-DC 转换模块。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和电源管理部分。
5. UPS 不间断电源系统的高效能量管理组件R02C709D3GA, CBR02C709D3GAB