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CBR02C709D3GAC 发布时间 时间:2025/7/1 8:45:25 查看 阅读:8

CBR02C709D3GAC 是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,具有高效率、低正向压降和快速开关特性。它适用于高频开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变器以及其他需要高效能量转换的应用场景。这款器件采用 TO-247 封装形式,能够承受较高的工作温度范围。

参数

型号:CBR02C709D3GAC
  类型:肖:碳化硅(SiC)
  最大正向电压:1.5V
  反向击穿电压:1200V
  最大正向电流:2A
  峰值反向电流:1μA
  结电容:~15pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

CBR02C709D3GAC 具有以下显著特点:
  1. 高效的性能得益于碳化硅材料的使用,能够在高频应用中减少开关损耗。
  2. 超低的正向电压使其在能量转换过程中具备更高的效率。
  3. 快速恢复时间几乎为零,适合高频开关电路。
  4. 极低的漏电流确保了其在高温下的稳定性和可靠性。
  5. 可以在高达 175°C 的结温下正常运行,非常适合恶劣环境下的应用。

应用

该芯片广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的场合,例如:
  1. 高频开关电源设计中的整流或续流功能。
  2. 新能源领域,如太阳能逆变器和风能转换系统。
  3. 汽车电子中的 DC-DC 转换模块。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动和电源管理部分。
  5. UPS 不间断电源系统的高效能量管理组件R02C709D3GA, CBR02C709D3GAB

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CBR02C709D3GAC参数

  • 数据列表CBR02C709D3GAC
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容7.0pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±0.5pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.012"(0.30mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称399-8617-6