CBR02C509A3GAC是一款表面贴装陶瓷片式多层电容器(MLCC),主要应用于高频滤波、旁路和去耦等场景。该型号属于C0G介质材料,具有极高的稳定性和低损耗特性,在温度变化时表现出良好的电容稳定性。
型号:CBR02C509A3GAC
电容值:47pF
额定电压:50V
公差:±0.25pF
介质材料:C0G/NP0
封装尺寸:0201英寸
工作温度范围:-55℃至+125℃
直流偏置特性:无显著影响
频率特性:适用于高频应用
CBR02C509A3GAC采用了C0G介质材料,确保其在宽温范围内具有优异的温度稳定性和低损耗性能。这种电容器非常适合要求高稳定性的射频和微波电路设计。此外,0201英寸的小型封装使其能够适应高密度PCB设计需求。
由于C0G材料的固有特性,这款电容器对直流偏置的影响非常小,因此可以保证电容值在实际使用中的稳定性。同时,其低ESR和低ESL特性使得它在高频应用中表现尤为出色。
此外,CBR02C509A3GAC符合RoHS标准,并且支持回流焊工艺,适合自动化生产环境。
该电容器广泛应用于射频模块、无线通信设备、智能手机、物联网设备以及其他需要高频滤波和信号调理的电子系统中。其典型应用场景包括:
- 高频滤波器设计
- 射频信号链中的匹配网络
- 振荡电路中的谐振元件
- 电源输出端的去耦和旁路
由于其小型化和高性能特点,CBR02C509A3GAC特别适合对空间和性能都有严格要求的应用场合。
CBR02C509A3GACN, CBR02C509A3GACA, GRM033C80J470KA01D