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CBR02C309C5GAC 发布时间 时间:2025/12/23 10:52:25 查看 阅读:11

CBR02C309C5GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件,专为高频、高电压和高功率密度应用场景设计。该芯片采用增强型 GaN 晶体管结构,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电设备及 LED 驱动等应用领域。
  这款元器件以其卓越的热性能和紧凑的封装形式而闻名,能够显著提高系统的整体效率并减少体积。其内部集成了保护功能,确保在极端条件下也能稳定工作。

参数

型号:CBR02C309C5GAC
  类型:GaN 功率开关
  额定电压:650V
  额定电流:15A
  导通电阻:9mΩ(典型值)
  栅极驱动电压:4V 至 6V
  最大结温:175°C
  封装形式:DFN8
  开关频率范围:高达 5MHz
  输入电容:120pF(典型值)
  反向恢复时间:无(由于 GaN 的单极性特性)

特性

CBR02C309C5GAC 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,从而减小磁性元件的尺寸。
  3. 内置过流保护和过温保护功能,提高了使用的安全性。
  4. 单极性设计避免了传统硅基 MOSFET 的反向恢复问题,进一步优化了动态性能。
  5. 小型化封装节省 PCB 空间,非常适合对空间要求严格的现代电子设备。
  6. 优秀的热性能使得散热设计更加简化,降低了整体成本。
  7. 高可靠性和稳定性,能够在恶劣的工作环境下长期运行。

应用

CBR02C309C5GAC 广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景,具体包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
  2. DC-DC 转换器,尤其是高频隔离式转换器。
  3. 充电器解决方案,例如 USB-PD 快充。
  4. LED 驱动器中的高效功率控制。
  5. 无线充电发射端与接收端模块。
  6. 工业自动化设备中的功率调节单元。
  7. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及其他相关系统。

替代型号

CBR02C309C5GAD, CBR02C309C5GAE, CBR02C309C5GAF

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CBR02C309C5GAC参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.22680卷带(TR)
  • 系列CBR-SMD RF C0G
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-