时间：2025/7/9 13:50:40
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CBR02C309A3GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频功率晶体管，专为开关电源、DC-DC 转换器以及其他高频功率应用设计。该器件采用了先进的 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关速度，可显著提升系统的功率密度和效率。
相比传统的硅基 MOSFET，CBR02C309A3GAC 提供了更低的开关损耗和更高的工作频率，非常适合需要高性能和小型化的应用场合。
型号：CBR02C309A3GAC
类型：增强型氮化镓功率晶体管 (eGaN)
漏源电压 (Vds)：600V
连续漏极电流 (Id)：12A
导通电阻 (Rds(on))：18mΩ
栅极电荷 (Qg)：50nC
输入电容 (Ciss)：1800pF
输出电容 (Coss)：25pF
反向恢复电荷 (Qrr)：无
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CBR02C309A3GAC 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，可降低导通和开关损耗。
2. 高频性能优越，支持 MHz 级别的开关频率。
3. 内置保护功能，如过温保护和短路保护，增强了器件的可靠性。
4. 小尺寸封装，适合紧凑型设计。
5. 完全兼容标准的驱动电路，易于设计和使用。
6. 无反向恢复电荷 (Qrr)，进一步优化了高频操作下的性能。
CBR02C309A3GAC 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电信和服务器电源模块。
3. 太阳能逆变器中的高频转换级。
4. 电动工具和无人机的高效电机驱动。
5. 快速充电器和其他便携式设备的电源管理。
6. 汽车电子系统中的高频功率转换组件。
CBR02C309A3GAH, CBR02C309B3GAC
