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CBR02C279C9GAC 发布时间 时间:2025/7/10 16:46:37 查看 阅读:11

CBR02C279C9GAC 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为高频通信和无线应用设计。该器件采用先进的化合物半导体工艺制造,能够在高频段提供高增益、高效率以及良好的线性度表现。其典型应用场景包括蜂窝基站、无线电通信设备、雷达系统和其他射频功率放大器相关领域。
  CBR02C279C9GAC 以其卓越的电气特性和稳定性著称,在复杂电磁环境下仍能保持稳定运行,同时支持宽泛的工作频率范围以适应多样化需求。

参数

型号:CBR02C279C9GAC
  类型:射频功率晶体管
  封装形式:表面贴装(SMD)
  工作频率范围:2.1 GHz - 2.7 GHz
  饱和输出功率:43 dBm
  增益:15 dB
  漏极效率:65 %
  最大集电极功耗:50 W
  输入匹配阻抗:50 Ω
  输出匹配阻抗:50 Ω
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

CBR02C279C9GAC 的主要特点是其优异的高频性能与高效的功率转换能力。以下是该器件的主要特性:
  1. 高输出功率:在 2.1 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内,可实现高达 43 dBm 的饱和输出功率。
  2. 高增益:典型增益达到 15 dB,能够显著提升信号强度。
  3. 高效率:漏极效率可达 65%,有效降低能耗并提高系统整体效率。
  4. 宽带操作:支持较宽的工作频率范围,适用于多种射频应用。
  5. 良好的线性度:即使在高功率条件下也能保证低失真性能。
  6. 稳定性强:即使在极端环境温度下,仍然具备可靠的电气性能和机械结构稳定性。
  7. 表面贴装技术(SMD)封装:便于自动化生产和安装,减少电路板空间占用。

应用

CBR02C279C9GAC 广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站:用于 GSM、WCDMA、LTE 和 5G 等移动通信系统的射频功率放大器。
  2. 无线通信设备:如对讲机、微波链路终端和卫星通信系统中的发射模块。
  3. 雷达系统:包括气象雷达、交通监控雷达以及军事用途的相控阵雷达等。
  4. 测试与测量仪器:需要高精度和高功率射频源的场合。
  5. 工业加热及医疗设备:例如利用射频能量进行材料处理或人体组织消融治疗等领域。

替代型号

CBR02C279C9GA, CBR02C279C9GB, CBR02C279C9GC

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CBR02C279C9GAC参数

  • 数据列表CBR02C279C9GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容2.7pF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-