CBR02C209C3GAC是一款高性能的陶瓷电容器,属于多层陶瓷电容器(MLCC)系列。该型号通常用于高频电路和信号滤波应用中,具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),能够在高频率下保持稳定的性能。
这款电容器采用II类介质材料制造,提供较高的容值密度和稳定性,适合需要高容量和小型化的应用场景。
型号:CBR02C209C3GAC
电容量:0.018μF (18nF)
额定电压:25V
封装类型:0603英寸 (1608公制)
耐压等级:25V
介质类型:C0G (NP0)
温度范围:-55°C 至 +125°C
容差:±5%
直流偏置特性:低偏置影响
CBR02C209C3GAC的主要特性包括其在高频下的优异表现、低ESR和ESL设计以及良好的温度稳定性。
1. 高频性能:由于其独特的结构设计,该电容器在高频条件下能够有效减少寄生效应,从而实现更高效的滤波和去耦功能。
2. 小型化设计:作为0603尺寸的元件,它非常适合现代紧凑型电子产品的需求。
3. 稳定性:C0G介质确保了其在宽温范围内的稳定性和可靠性。
4. 容量与电压平衡:在较小的封装内提供了较大的电容量和适中的额定电压,使其适用于多种电路环境。
CBR02C209C3GAC广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域,具体包括:
1. 滤波器电路:用于音频和射频信号处理,以消除不需要的频率成分。
2. 去耦电容:为电源供应线提供局部储能,降低电源噪声对敏感电路的影响。
3. 耦合电容:用于放大器级间信号传递,隔离直流成分。
4. 高速数字电路:在时钟和数据传输线路中起到关键作用,保证信号完整性。
5. RF模块:在无线通信系统中用作匹配网络组件或缓冲元件。
CBR02C209C3GACTU, GRM1555C1H180JA01D