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CBR02C150G8GAC 发布时间 时间:2025/12/23 21:44:05 查看 阅读:31

CBR02C150G8GAC 是一款基于碳化硅(SiC)材料的肖特基二极管,主要应用于高频和高效率的电力电子电路中。该器件具有低正向电压降、快速恢复时间和高耐压能力,适用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等场景。
  碳化硅肖特基二极管相比传统的硅基二极管,在高温性能、开关速度以及能量损耗方面表现出明显的优势。

参数

型号:CBR02C150G8GAC
  最大正向电流:2A
  反向击穿电压:150V
  正向电压降:1.3V(典型值,@If=2A)
  反向漏电流:5μA(最大值,@Vr=150V,Tj=25°C)
  结电容:20pF(典型值)
  工作结温范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

CBR02C150G8GAC 采用了碳化硅材料,具备以下显著特性:
  1. 低正向电压降(Vf),有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,无反向恢复电荷(Qrr),适合高频应用。
  3. 极低的反向漏电流,保证在高温环境下依然保持良好的性能。
  4. 宽温度范围的工作能力,支持从低温到高达175°C的结温运行。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时提供卓越的散热性能。
  6. 高可靠性,满足汽车级和工业级应用需求。

应用

CBR02C150G8GAC 广泛应用于需要高效能和高频工作的电力电子设备中,具体包括:
  1. 开关电源(Switching Power Supply, SMPS)中的整流和续流功能。
  2. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  3. 电动车辆的车载充电器和电机控制器。
  4. 工业自动化设备中的高频DC-DC转换器。
  5. 通信电源和其他高性能电子系统的功率管理部分。

替代型号

CBR02C120G8GAC, CBR02C200G8GAC

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CBR02C150G8GAC参数

  • 数据列表CBR02C150G8GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容15pF
  • 电压 - 额定10V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-