CBR02C120J3GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) 基肖特基二极管。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低正向压降和快速开关性能,非常适合高频、高效率的应用场景。
其主要特点是具备出色的耐高温能力和较低的反向漏电流,同时能够承受较高的反向电压。这种二极管广泛应用于电源管理、电机驱动、新能源汽车和工业控制等领域。
型号:CBR02C120J3GAC
类型:肖特基二极管
材料:碳化硅 (SiC)
最大正向电流:2A
反向阻断电压:1200V
正向压降 (典型值):1.35V
反向漏电流 (最大值,25°C):20μA
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-2L
CBR02C120J3GAC 的核心特性在于其采用了碳化硅材料,这使得它在高压和高频应用中表现卓越。
首先,该器件具有非常低的正向压降 (约1.35V),这意味着在导通状态下功耗更低,从而提高了整体系统的效率。
其次,其快速的开关速度确保了在高频电路中的稳定性,并减少了开关损耗。
此外,CBR02C120J3GAC 的反向漏电流极低 (25°C 下仅为20μA),这对于高温环境下的性能至关重要。
最后,其工作结温范围高达 +175°C,使其能够适应极端条件下的使用需求,例如工业加热设备或新能源车辆的逆变器模块。
这些特点共同使 CBR02C120J3GAC 成为一种理想的选择,用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的设计。
CBR02C120J3GAC 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC/DC 转换器,特别是在 PFC(功率因数校正)阶段。
2. 太阳能逆变器和风能转换系统,用于提高能量转换效率。
3. 新能源汽车中的 DC/DC 转换器和车载充电器。
4. 工业电机驱动器和变频器,以支持更高效的电力传输。
5. 高频谐振电路和脉冲宽度调制 (PWM) 控制器。
6. 其他需要高效功率处理和高温稳定性的应用场景。
CBR02C1200S3GAC, CBR02D120J3GAC