时间：2025/7/10 18:09:55
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CBR02C120G3GAC是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频和高效率的电源转换应用。该器件采用了增强型GaN HEMT结构，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点，非常适合用于DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
其封装形式为DFN8x8，能够提供卓越的散热性能和紧凑的设计方案，满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
型号：CBR02C120G3GAC
类型：增强型GaN HEMT
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±8V
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ
连续漏极电流（Id）：2A
栅极电荷（Qg）：4nC
输入电容（Ciss）：350pF
输出电容（Coss）：70pF
反向恢复时间（trr）：<20ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CBR02C120G3GAC具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，开关频率可达数MHz，适合高频应用。
3. 出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
4. 小尺寸DFN8x8封装，便于PCB布局和散热设计。
5. 内置ESD保护功能，提升器件在实际使用中的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这些特性使得该器件在需要高效能量转换和紧凑设计的应用中表现出色。
CBR02C120G3GAC广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的适配器和充电器，如快充头。
2. 工业设备中的高效DC-DC转换器。
3. 通信设备中的电源管理模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力转换系统。
5. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
6. PFC（功率因数校正）电路以实现更高的电源效率。
由于其高效率和小体积，CBR02C120G3GAC成为众多现代功率转换应用的理想选择。
CBR02C100G3GAC, CBR02C80G3GAC
