时间：2025/6/28 21:53:43
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CBR02C100F3GAC7800 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，适用于高频、高压和高功率应用。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
其主要设计目标是满足工业电源、通信设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电桩等对高性能功率转换的需求。
型号：CBR02C100F3GAC7800
额定电压：650V
额定电流：20A
导通电阻：100mΩ
开关频率范围：高达2MHz
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247-4L
反向恢复时间：10ns
栅极电荷：15nC
CBR02C100F3GAC7800 具有以下突出特点：
1. 采用增强型氮化镓 (eGaN) 技术，提供卓越的开关性能和更低的能量损耗。
2. 高频工作能力，使设计者能够使用更小的磁性元件和电容器，从而降低系统成本和体积。
3. 超低导通电阻，确保在大电流条件下仍能保持高效运行。
4. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗。
5. 提供全面的保护功能，包括过流保护、短路保护和热关断机制，以提高系统的可靠性和安全性。
6. 符合RoHS标准，支持环保要求。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS)，如服务器电源和电信整流器。
2. 太阳能微型逆变器和储能系统中的DC/DC与DC/AC转换。
3. 电动车辆充电基础设施，例如直流快速充电桩。
4. 工业电机驱动和可再生能源发电设备。
5. 高效D类音频放大器以及其他需要高功率密度的应用场景。
CBR02C100F3GAC8000
CBR02C100F3GAC8500
IRGB4062DPBF
