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CBM453215U600T 发布时间 时间:2025/5/12 16:02:48 查看 阅读:10

CBM453215U600T 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等高效率电力转换场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。
  其封装形式为 TO-247,能够承受较高的电流和电压,适合于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:90nC
  功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

CBM453215U600T 的主要特点是低导通电阻和高效率。这使得它在高频开关应用中表现出色,同时减少了热损耗,提高了系统的整体性能。
  此外,该器件具备出色的雪崩能力和抗静电能力,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
  其快速开关速度有助于减少开关损耗,从而提高电源转换效率。
  由于采用了先进的封装技术,CBM453215U600T 具有良好的散热性能,适用于大功率应用场合。

应用

CBM453215U600T 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS)
  2. 工业电机驱动
  3. 太阳能逆变器
  4. 不间断电源 (UPS)
  5. 电动汽车充电装置
  6. LED 驱动器
  7. 电焊机及其他工业控制设备

替代型号

CM453215U600T, IRFP450, STP32NF60

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