CBM453215U221T是一种基于陶瓷材料制造的多层片式电容器(MLCC),主要用于高频滤波、去耦和信号调节等应用。它属于X7R介质类型,具有良好的温度稳定性和容量变化特性,适合在工业和消费电子领域中使用。
型号:CBM453215U221T
电容值:220pF
额定电压:150V
公差:±10%
温度范围:-55°C 至 +125°C
封装尺寸:0402英寸
介质材料:X7R
直流偏置特性:低
工作频率范围:DC 至 3GHz
CBM453215U221T采用X7R介质材料,因此其电容值在宽温度范围内保持相对稳定。该元件具备高Q值和低ESR(等效串联电阻)特性,使其非常适合高频电路中的性能优化。
此外,其小尺寸设计有助于节省PCB空间,同时保证了良好的机械强度和可靠性。由于采用了多层结构,这种电容器还具有较高的抗振性,能够在恶劣环境下长时间运行。
它的低直流偏置特性确保了即使在较高直流电压下,电容值也不会显著下降,从而为电路提供稳定的性能表现。
CBM453215U221T广泛应用于射频电路、无线通信模块、电源滤波以及音频设备等领域。具体来说,它可以用于:
- 高频信号路径中的滤波
- 射频前端匹配网络
- 微波电路中的阻抗匹配
- 数字电路中的去耦
- 工业自动化设备中的噪声抑制
由于其出色的温度特性和频率响应能力,这款电容器也非常适合用作精密模拟电路中的关键组件。
CBM453215U220M, GRM155R71H220JA01D, C0G-0402-220P