CBM321609U301T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关芯片,专为高频率、高效率的应用场景设计。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电源转换效率并减小系统体积。其封装形式紧凑,适用于各种对空间要求较高的场合,例如服务器电源、通信设备和工业电源等领域。
CBM321609U301T 的核心优势在于结合了先进的 GaN 技术与优化的驱动电路设计,能够在高频工作条件下保持极高的能效表现,同时具备出色的热性能和可靠性。此外,它还集成了多种保护功能,如过流保护(OCP)、过温保护(OTP)等,从而增强了系统的稳定性和安全性。
最大漏源电压:650V
连续导通电流:30A
导通电阻:160mΩ
栅极电荷:9nC
开关频率范围:1MHz-5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3
1. 基于氮化镓(GaN)材料,具有极低的导通电阻和开关损耗。
2. 支持高达 5MHz 的开关频率,适合高频应用。
3. 集成多种保护功能,包括过流保护(OCP)和过温保护(OTP)。
4. 封装紧凑,有助于减少整体 PCB 占用面积。
5. 在宽温度范围内表现出色,确保长期使用的稳定性。
6. 可显著提高功率密度,降低系统成本和复杂性。
1. 数据中心和服务器电源模块。
2. 通信基站中的 DC-DC 转换器。
3. 工业级 AC-DC 和 DC-DC 电源解决方案。
4. 高效充电器和适配器。
5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换部分。
6. 激光雷达(LiDAR)和其他需要高速响应的应用领域。
CBM321609U251T, CBM321609U351T