时间：2025/12/28 1:49:27
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CBM201209U150T是一款由Chipways（川南半导体）推出的车规级碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备优异的开关性能和热稳定性，适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、逆变器以及工业电源系统等对可靠性要求极高的场合。CBM201209U150T符合AEC-Q101车规认证标准，确保在恶劣汽车运行环境下仍能保持稳定可靠的工作表现。其封装形式为DPAK（TO-252），便于散热管理和模块集成，同时具备低寄生电感和良好机械强度的特点，适合自动化贴装工艺。
这款二极管的额定反向电压为150V，平均整流电流可达20A，能够承受瞬态过载和反向浪涌冲击。由于采用了SiC材料，CBM201209U150T相较于传统硅基快恢复二极管具有更低的正向导通压降和几乎无反向恢复电荷的特性，显著减少了开关损耗，提升了整体系统效率。此外，该器件还具备出色的抗热疲劳能力和长期稳定性，可在结温高达175°C条件下持续工作，满足新能源汽车对功率器件小型化、高效化和长寿命的需求。
型号：CBM201209U150T
类型：碳化硅肖特基二极管
最大反向电压（VRRM）：150V
平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180A
正向电压降（VF）：典型值1.45V @ 20A, 25°C
反向漏电流（IR）：最大300μA @ 150V, 25°C；最大10mA @ 150V, 175°C
反向恢复时间（trr）：≤15ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK (TO-252)
安装方式：表面贴装
极性：单芯片阳极共接
CBM201209U150T的核心优势在于其基于6英寸碳化硅外延工艺制造的高性能PN结结构，结合优化的肖特基金属接触设计，实现了极低的正向导通损耗与近乎零的反向恢复电荷。这一特性使其在高频软开关拓扑如LLC谐振变换器中表现出色，有效抑制了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而降低对缓冲电路的设计要求并提升系统功率密度。器件在高温下仍保持良好的电气稳定性，即使在175°C高温工作时，反向漏电流也控制在安全范围内，避免热失控风险。
该产品通过严格的车规级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）、温度循环（TC）、功率循环（PC）等多项验证，确保在复杂振动、湿度和温度交变环境下长期可靠运行。其DPAK封装采用铜夹连接技术，提高了电流承载能力并降低了内部热阻，典型热阻RθJC仅为1.2°C/W，有利于热量快速传导至散热器。此外，器件具有优良的雪崩能量耐受能力，在异常工况下具备更强的鲁棒性。
CBM201209U150T还针对电磁兼容性进行了优化设计，寄生参数小，动态响应一致性好，适合并联使用以满足更高电流需求的应用场景。生产过程遵循IATF 16949质量管理体系，并支持PPAP文档提交，便于主机厂进行供应链管理。总体而言，该器件是面向电动汽车和高端工业电源领域的一款高性能、高可靠性碳化硅二极管解决方案。
CBM201209U150T广泛应用于新能源汽车及工业领域的高效率功率转换系统中。主要应用场景包括车载充电机（OBC），其中作为PFC升压级中的续流二极管或输出整流管，利用其低VF和无反向恢复特性大幅提升系统效率，尤其是在轻载和中载条件下表现突出。在双向DC-DC变换器中，该器件可用于高压侧同步整流辅助路径或用于能量回馈回路，提高能量利用率并减少散热设计负担。
在电机驱动系统和逆变器中，CBM201209U150T可作为IGBT或SiC MOSFET的续流二极管使用，显著降低换流过程中的开关损耗和电压应力，提升整体驱动效率并延长功率模块寿命。此外，在工业开关电源、服务器电源、通信电源等高功率密度电源设备中，该器件同样适用于硬开关和软开关拓扑结构，帮助实现更高的能效等级（如80 PLUS钛金标准）和更紧凑的系统设计。
由于其优异的高温工作能力和长期可靠性，CBM201209U150T也适用于户外电源系统、轨道交通、充电桩主电路等严苛环境下的整流与保护电路，尤其适合需要减小体积、减轻重量且追求高MTBF（平均无故障时间）的应用场合。
Wolfspeed C3D20060D
ON Semiconductor FFSH20150A
STMicroelectronics STPSC20H15CW-TR
Infineon IDW20S150C-1
