时间：2025/5/10 18:07:20
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CBM160808U190T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域。该器件采用先进的封装工艺，具备高频率特性、低导通电阻和快速开关能力，能够显著提升电力电子系统的效率与性能。
CBM160808U190T 的设计使其在高功率密度应用中表现出色，同时其紧凑的尺寸和优秀的散热性能也为系统集成提供了便利。
型号：CBM160808U190T
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：19A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
栅极电荷（Qg）：70nC
输入电容（Ciss）：2200pF
输出电容（Coss）：140pF
反向恢复时间（trr）：<30ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CBM160808U190T 具有以下主要特性：
1. 基于氮化镓材料，提供更高的开关速度和更低的开关损耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗。
3. 快速的开关能力，支持高达数MHz的工作频率。
4. 高耐压能力（Vds=600V），适合多种高压应用场景。
5. 紧凑的封装形式，有助于减少PCB空间占用。
6. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强了器件的可靠性。
7. 优异的热性能，能够长时间稳定运行在高温环境中。
CBM160808U190T 广泛应用于以下领域：
1. 高频开关电源（SMPS）
2. 电动车充电设备
3. 数据中心电源管理
4. 太阳能逆变器
5. 工业驱动控制
6. 射频放大器
7. 高效 DC-DC 转换模块
由于其出色的电气特性和高频性能，CBM160808U190T 在需要高效率、高功率密度的设计中具有明显优势。
CMG190U60,
TGPA19060,
STGAN60N19,
EPC2022
