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CBM160808U190T 发布时间 时间:2025/5/10 18:07:20 查看 阅读:16

CBM160808U190T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等领域。该器件采用先进的封装工艺,具备高频率特性、低导通电阻和快速开关能力,能够显著提升电力电子系统的效率与性能。
  CBM160808U190T 的设计使其在高功率密度应用中表现出色,同时其紧凑的尺寸和优秀的散热性能也为系统集成提供了便利。

参数

型号:CBM160808U190T
  类型:GaN 功率晶体管
  最大漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):19A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  栅极电荷(Qg):70nC
  输入电容(Ciss):2200pF
  输出电容(Coss):140pF
  反向恢复时间(trr):<30ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

CBM160808U190T 具有以下主要特性:
  1. 基于氮化镓材料,提供更高的开关速度和更低的开关损耗。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
  3. 快速的开关能力,支持高达数MHz的工作频率。
  4. 高耐压能力(Vds=600V),适合多种高压应用场景。
  5. 紧凑的封装形式,有助于减少PCB空间占用。
  6. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的可靠性。
  7. 优异的热性能,能够长时间稳定运行在高温环境中。

应用

CBM160808U190T 广泛应用于以下领域:
  1. 高频开关电源(SMPS)
  2. 电动车充电设备
  3. 数据中心电源管理
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业驱动控制
  6. 射频放大器
  7. 高效 DC-DC 转换模块
  由于其出色的电气特性和高频性能,CBM160808U190T 在需要高效率、高功率密度的设计中具有明显优势。

替代型号

CMG190U60,
  TGPA19060,
  STGAN60N19,
  EPC2022

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