型号：CBM10YTAG520
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　类型：N沟道，增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：10 A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：40 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)（典型值）：8.5 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)（最大值）：10.5 mΩ @ VGS = 10 V
　　阈值电压VGS(th)：2.0 ~ 3.0 V
　　栅极电荷Qg（典型值）：27 nC @ VDS = 80 V, ID = 10 A
　　输入电容Ciss：1350 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容Coss：280 pF
　　反向恢复时间trr：未适用（无体二极管快速恢复特性重点）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L（双面散热）
　　安装方式：表面贴装SMD

CBM10YTAG520采用了Vishay成熟的TrenchFET?技术，这种深沟槽结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现更高的电流密度和更小的能量损耗。器件的低RDS(on)特性使其在大电流应用场景下能够有效减少I2R损耗，提高电源系统的整体效率。
　　此外，该MOSFET具备出色的开关性能，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），能够在高频PWM控制中实现快速开启与关断，降低开关过程中的动态功耗。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要，可支持更高的工作频率以缩小外部电感和电容尺寸，进而实现系统小型化。
　　PowerPAK SO-8L封装是该器件的一大亮点，它采用双面散热设计，允许热量从顶部和底部同时传导至PCB或散热片，极大地提升了热管理能力。相比传统SO-8封装，其热阻（RθJA）更低，确保在高负载条件下仍能维持稳定的结温运行。
　　该器件还具备优良的雪崩耐受能力和抗短路能力，在异常工况下表现出更强的鲁棒性。内置的静电放电（ESD）保护结构也增强了器件在装配和使用过程中的可靠性。
　　由于其符合AEC-Q101标准，CBM10YTAG520可用于对可靠性和温度范围有严格要求的应用场景，如车载充电系统、ADAS模块供电单元等。同时，产品不含铅、无卤素，满足绿色电子产品的环保法规要求，适用于全球市场的出口需求。

CBM10YTAG520广泛应用于各类需要高效功率转换的电子系统中。典型用途包括同步降压型DC-DC转换器，作为上管或下管用于笔记本电脑、服务器主板、FPGA和GPU的核电压供电模块。其低导通电阻和快速响应特性使其在多相供电架构中表现优异，有助于提升瞬态响应能力和转换效率。
　　在工业电源领域，该器件常用于非隔离式AC-DC适配器、LED驱动电源以及工业控制板上的稳压模块。由于其具备良好的热性能，即使在密闭空间或高温环境中也能稳定运行。
　　此外，CBM10YTAG520也被用于电池管理系统（BMS）、电动工具控制器和小型电机驱动电路中，作为通断控制开关或H桥驱动元件的一部分。其高电流承载能力和快速切换特性支持电机启动时的大电流冲击。
　　在通信设备中，例如路由器、交换机和基站电源模块中，该MOSFET用于中间总线转换（IBA）或POL（Point-of-Load）调节器，提供高效的局部供电解决方案。
　　随着电动汽车和智能驾驶技术的发展，该器件还可用于车载信息娱乐系统、摄像头模组供电、车内照明调光电路等次级电源管理单元，凭借其AEC-Q101认证优势，保障长期运行的稳定性与安全性。

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