时间：2025/12/26 1:09:24
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CBM08YTAN600是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用先进的碳化物半导体技术，具有出色的热稳定性和低开关损耗特性，适用于需要高可靠性和高温工作能力的功率转换系统。CBM08YTAN600的额定电压为600V，平均整流电流可达8A，反向恢复时间极短，几乎无反向恢复电荷，因此在硬开关和软开关拓扑中均能显著提升系统效率。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在PCB上进行自动化贴装，并具备良好的散热性能。这款二极管广泛应用于服务器电源、工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及PFC（功率因数校正）电路中。由于其基于SiC材料，相较于传统的硅基PIN二极管，CBM08YTAN600在高温下表现出更低的漏电流和更高的可靠性，能够在175°C结温下持续工作，适合严苛环境下的长期运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，支持绿色环保制造要求。
类型：肖特基二极管
技术：碳化硅（SiC）
最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V
最大直流阻断电压（VR）：600V
平均整流电流（IF(AV)）：8A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：90A
最大正向电压（VF）：1.7V（在8A时）
最大反向漏电流（IR）：5μA（典型值，25°C）；500μA（最大值，125°C）
反向恢复时间（trr）：典型值＜15ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装/包装：TO-252（DPAK）
安装类型：表面贴装
CBM08YTAN600所采用的碳化硅材料赋予其卓越的电气与热性能，使其在现代高效能电源系统中成为关键组件之一。首先，其零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极短的反向恢复时间（trr < 15ns）意味着在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而大幅降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了整个系统的效率与稳定性。这一特性尤其适用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（BCM）的功率因数校正（PFC）电路，在这些应用中传统硅二极管往往因较大的Qrr而导致效率下降和发热严重。
其次，该器件具有非常低且稳定的正向导通压降（VF），在额定8A电流下仅为1.7V左右，远低于同等耐压等级的传统硅快恢复二极管。更重要的是，VF随温度变化较小，确保了在高温工况下仍能维持较高的导通效率，避免热失控风险。同时，其反向漏电流虽然在高温下有所增加，但在同类产品中仍处于较低水平，特别是在125°C时最大仅500μA，这有助于减少静态功耗。
再者，CBM08YTAN600的工作结温高达+175°C，允许其在恶劣的热环境中长期运行而不影响寿命或性能，这对于车载充电机、工业电机驱动等高温应用场景至关重要。结合TO-252封装的良好热传导能力，可通过PCB背面铜箔有效散热，进一步增强热管理能力。
最后，该器件具备优异的抗浪涌能力，可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流，增强了对瞬态过载条件的鲁棒性。整体而言，CBM08YTAN600凭借其高频、高效、高温和高可靠性的综合优势，已成为新一代绿色能源和高密度电源设计中的理想选择。
CBM08YTAN600广泛用于各类高性能电源转换系统，包括但不限于：交流-直流（AC-DC）电源适配器、服务器和通信电源、工业开关电源（SMPS）、太阳能光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）、不间断电源（UPS）、LED照明驱动电源以及功率因数校正（PFC）升压二极管。其高频低损特性特别适合用于连续导通模式（CCM）PFC电路中作为输出整流或升压续流二极管，能够显著提高系统效率并减小滤波元件体积。此外，在电动交通工具和可再生能源系统中，该器件可在高温、高湿和振动环境下保持稳定运行，满足严苛的工业与车规级要求。
CMH08060Y,CBTU08120HFRC,CBR08060L
