时间：2025/12/26 1:33:07
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CBM05YTHN121是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专为保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲损害而设计。该器件采用紧凑型SMC（DO-214AB）封装，具有优良的热稳定性和机械强度，适用于多种工业、消费类及通信应用场景。CBM05YTHN121能够在短时间内吸收高达5000W的峰值脉冲功率（依据IEC 61000-4-2标准），并将其钳位于安全电压水平，从而有效防止因静电放电（ESD）、雷击感应或电感负载切换引起的过压事件对下游电路造成损坏。该TVS二极管工作温度范围宽，从-55°C至+150°C，适合在严苛环境条件下稳定运行。其低动态电阻和快速响应时间（通常小于1纳秒）确保了在瞬态事件发生时能迅速导通，将多余能量导向地线，保障系统可靠性。此外，CBM05YTHN121符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保，适合现代自动化贴片生产工艺。该器件广泛应用于电源线、数据线路、I/O接口等需要高等级过压保护的场合。
类型：单向TVS二极管
封装：SMC（DO-214AB）
反向工作电压（VRWM）：12.1V
击穿电压（VBR）：最小13.4V，典型14.1V，最大14.8V
测试电流（IBR）：10mA
最大钳位电压（VC）：19.9V（在IPP=25.1A时）
峰值脉冲功率（PPPM）：5000W（10/1000μs波形）
最大反向漏电流（IR）：5μA @ 12.1V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
引线温度（焊接，10秒）：300°C
极性：单向
CBM05YTHN121具备卓越的瞬态过压保护能力，其核心优势在于高能量吸收能力和极快的响应速度。该TVS二极管采用先进的硅结技术，在正常工作状态下呈现高阻抗特性，几乎不影响原电路的工作状态；当线路中出现超过其击穿电压的瞬态过压脉冲时，器件会立即从高阻态切换至低阻导通状态，将瞬态电流分流至地，从而将电压钳制在安全范围内，防止后级集成电路受损。其5000W的峰值脉冲功率处理能力使其能够应对如IEC 61000-4-2接触放电±8kV、空气放电±15kV级别的静电冲击，以及IEC 61000-4-4电快速瞬变（EFT）等严酷电磁干扰环境。
该器件的SMC封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热性能，有助于在多次瞬态事件中维持稳定的电气特性。低内部寄生电感设计减少了高频瞬态下的电压过冲，提高了保护精度。CBM05YTHN121的反向漏电流极低（仅5μA），避免了在待机或低功耗模式下产生额外的静态损耗，特别适用于电池供电或对能效要求较高的系统。此外，其精确的电压容差控制（击穿电压偏差小）保证了批次间的一致性，便于批量生产和质量管控。所有材料均符合IPC/JEDEC J-STD-020回流焊标准，支持自动光学检测（AOI）和高速贴片工艺，提升了制造效率与产品良率。
CBM05YTHN121广泛用于各类需要高水平瞬态电压保护的电子系统中。常见应用包括工业控制系统中的信号接口保护，如RS-232、RS-485通信线路，防止现场电磁干扰导致通信中断或芯片损坏。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块的电源与信号线防护，满足AEC-Q101可靠性标准的部分要求。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、电视和机顶盒也常采用此类TVS器件来保护USB端口、HDMI接口和音频插孔免受用户接触带来的静电危害。
此外，该器件适用于开关电源、DC-DC转换器的输入级保护，防止电网波动或负载突变引发的电压尖峰。在医疗设备中，CBM05YTHN121可用于保护精密模拟前端和数据采集通道，确保诊断结果的准确性与系统的安全性。电信基础设施如基站、光模块和网络交换机同样依赖此类高可靠性TVS二极管来抵御雷击感应和电源耦合干扰。由于其宽泛的工作温度范围和长期稳定性，该器件也可部署于户外设备、智能电表和轨道交通系统中，提供持久有效的电路保护解决方案。
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"SMBJ13A",
"P6KE13A",
"1.5KE13A"
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