型号：CBM01YTAN301
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：PowerPAK SO-8L
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）@25°C：26 A
　　最大连续漏极电流（ID）@70°C：17 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.7 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：6.4 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：9.5 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）@10V：11 nC
　　输入电容（Ciss）：890 pF
　　反向恢复时间（trr）：18 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装方式：表面贴装

CBM01YTAN301采用了Vishay先进的TrenchFET技术，这项技术通过在硅片上构建垂直沟道结构，显著提升了单位面积下的载流子迁移率，从而实现了极低的导通电阻与更高的电流密度。这种结构不仅降低了传导损耗，还提高了整体转换效率，特别适合高频开关电源应用场景。该器件在VGS=4.5V时的RDS(on)仅为6.4mΩ，意味着即使在中等驱动电压下也能维持出色的导通性能，这对于使用低压控制器直接驱动的应用尤为重要。同时，其在VGS=2.5V时仍能保持9.5mΩ的低阻状态，展现出优异的逻辑电平兼容性，能够适配现代低电压数字控制系统，如DSP、FPGA或微控制器输出端口直接驱动，无需外加驱动IC，节省PCB空间与成本。
　　另一个关键特性是其出色的热管理能力。PowerPAK SO-8L封装采用无引线设计，底部带有大面积散热焊盘，可有效将芯片产生的热量传导至PCB上的铜箔区域，大幅提升散热效率。相比传统SO-8封装，PowerPAK版本在相同尺寸下可承受更高功率负荷，且热阻（RθJC）更低，典型值约为2.4°C/W，确保器件在持续大电流工作条件下仍能维持安全结温。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=11nC），这直接减少了开关过程中的驱动能量消耗，进而降低开关损耗，提升系统整体能效。对于需要快速开关动作的同步整流拓扑（如同步BUCK或BOOST转换器），这一特性尤为关键。
　　CBM01YTAN301还具备良好的动态性能和稳定性。其输入电容为890pF，配合低米勒电容（Crss），有助于抑制寄生振荡和dv/dt引起的误触发问题。反向恢复时间短至18ns，说明体二极管响应速度快，适用于需要频繁换流的桥式电路或半桥拓扑中，减少反向恢复损耗和电磁干扰（EMI）。该器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（HGSS）和温度循环试验，保证在严苛工业环境下的长期可靠运行。综合来看，CBM01YTAN301是一款高性能、高集成度的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热性能均有严格要求的现代电子系统。

CBM01YTAN301因其低导通电阻、高电流能力和紧凑封装，广泛应用于多种电源管理系统中。常见用途包括同步降压（Buck）转换器中的主开关管和同步整流管，尤其适用于服务器主板、笔记本电脑和通信设备中的多相VRM（电压调节模块）设计。在这些应用中，多个CBM01YTAN301并联使用可分担大电流负载，提高系统效率并降低温升。该器件也常用于DC-DC模块电源、POL（Point-of-Load）转换器以及电池供电系统的电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备中的负载开关控制。由于其支持逻辑电平驱动，因此非常适合由微控制器GPIO直接控制的低功耗开关应用，如热插拔保护电路或电源域切换。
　　在工业控制领域，CBM01YTAN301可用于电机驱动电路中的低端开关、继电器替代方案（固态开关）以及PLC输入/输出模块中的功率接口。其高抗扰度和稳定的电气特性使其能在噪声较大的工业环境中可靠工作。此外，该器件也被应用于LED驱动电源中，作为恒流调节回路中的主动开关元件，提供精确的亮度控制和高效的能量转换。在汽车电子方面，尽管非车规级版本不适用于主动力系统，但CBM01YTAN301可用于车载信息娱乐系统、辅助电源模块或车身控制模块中的次级电源转换，前提是工作条件在其额定范围内。总体而言，凡是需要高效、小型化、高性价比功率开关的场合，CBM01YTAN301都是一个极具竞争力的选择。

SiS3410DDV-T1-GE3
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