尺寸：3225 (3.2mm x 2.5mm)
　　高度：1.3mm
　　电容值：80pF
　　额定电压：100V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化率±15%）
　　电容容差：±0.1pF 或 ±5%（依据具体规格）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 RxC ≥ 500S
　　耐电压：1.5倍额定电压，1分钟无击穿闪络
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
　　自谐振频率（SRF）：GHz级别（取决于电路布局）
　　介质材料：Class II陶瓷（如BaTiO3基）
　　端电极结构：Ni/Sn镀层，三层电极（Cu/Ni/Sn）
　　符合标准：IEC 60384-8/21，AEC-Q200（部分型号）
　　 RoHS合规性：符合无铅回流焊工艺要求

CBG322513U800所采用的X7R型陶瓷介质赋予其出色的温度稳定性，在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容值的变化不超过±15%，确保了在极端环境下的可靠运行。这种稳定性使其非常适合用于精密模拟电路、射频匹配网络以及需要长期稳定性的传感器接口电路中。相较于Z5U或Y5V等其他II类陶瓷材料，X7R介质在温度变化下的电容波动更小，避免了因温度漂移导致系统性能下降的问题。
　　该电容器具备优异的高频响应特性，得益于其低等效串联电感（ESL）和低等效串联电阻（ESR），能够在GHz级别的频率下保持较高的阻抗抑制能力，适用于高速数字系统的去耦设计。例如，在微处理器或FPGA的电源引脚附近使用时，可有效滤除高频噪声，提升电源完整性（PI）。
　　结构上，CBG322513U800采用了TDK独有的三层端子电极技术（Internal Electrode with Ni Barrier Layer），有效防止外部铜扩散至内部电极，增强了器件的耐久性和抗硫化能力，尤其适用于高湿度或含硫气体环境中工作的设备，如工业现场控制器或户外通信基站。此外，该结构还提高了焊接可靠性，减少了热应力引起的裂纹风险。
　　在机械性能方面，该MLCC经过优化设计以降低安装过程中的板弯开裂敏感性。其尺寸适中，在保证一定电容量的同时兼顾了小型化需求，是替代传统较大封装电容的理想选择。同时，该器件通过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压测试（H3TRB）、温度循环测试（TCT）和耐焊接热测试，确保在严苛条件下的长期稳定性。

CBG322513U800因其高电压额定值、稳定的电容特性和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于多个高端电子领域。在通信设备中，常用于射频前端模块的匹配电路、天线调谐网络以及滤波器组件，其稳定的80pF电容值有助于实现精确的阻抗匹配，从而提升信号传输效率和系统灵敏度。在电源管理系统中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入/输出滤波，利用其低ESR特性减少纹波电压，提高电源效率。
　　在工业自动化与控制系统中，CBG322513U800常作为PLC模块、传感器信号调理电路中的耦合与去耦元件，保障弱信号传输的准确性。由于其具备AEC-Q200兼容的设计理念（部分批次或衍生型号），也逐渐进入车载电子市场，应用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统及ADAS传感器模块中，承担电源旁路和噪声抑制功能。
　　此外，在测试与测量仪器、医疗电子设备以及航空航天电子系统中，该电容器凭借其高可靠性与长期稳定性，成为关键信号路径中的首选被动元件之一。特别是在需要承受频繁温度循环或振动环境的应用中，其机械鲁棒性和电气一致性表现出色。同时，由于支持自动化贴装和回流焊工艺，非常适合大规模生产制造，降低了组装成本并提升了产品一致性。