CBG321609U331T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率转换芯片,专为高频开关应用而设计。该芯片采用先进的封装工艺和增强型 GaN 晶体管技术,提供更高的功率密度和更低的开关损耗,非常适合用于电源适配器、快充模块以及 DC-DC 转换器等场景。
CBG321609U331T 集成了驱动器和保护功能,简化了系统设计并提高了可靠性。其卓越的热性能和小型化封装使其成为紧凑型电源解决方案的理想选择。
型号:CBG321609U331T
类型:GaN 功率晶体管
额定电压:650V
额定电流:9A
导通电阻:33mΩ
封装形式:TO-252
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
最大开关频率:5MHz
CBG321609U331T 具备以下显著特性:
1. 高效的氮化镓技术:相比传统硅基 MOSFET,CBG321609U331T 提供更低的导通电阻和开关损耗,从而提升整体系统效率。
2. 快速开关能力:支持高达 5MHz 的开关频率,使得设计师能够使用更小的磁性元件,进一步减小产品尺寸。
3. 内置保护功能:集成了过流保护、短路保护和过温保护,增强了系统的稳定性和安全性。
4. 简化的外围电路:由于其高集成度,用户可以减少外部元件的数量,降低 BOM 成本。
5. 广泛的工作温度范围:能够在极端温度环境下保持高性能,适用于工业和消费类电子领域。
CBG321609U331T 主要应用于以下领域:
1. USB-PD 快速充电器:作为核心功率器件,支持高效的小型化快充设计。
2. 开关电源 (SMPS):在 AC-DC 和 DC-DC 转换中发挥重要作用,提供高效率和高功率密度。
3. 工业电源:如通信电源、服务器电源和不间断电源 (UPS) 中的高频功率转换。
4. LED 驱动器:用于高亮度 LED 照明系统的高效驱动。
5. 无线充电设备:助力实现快速且高效的无线能量传输。
CBG321609U330T, CBG321609U332T