时间：2025/5/7 9:33:44
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CBG321609U122T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，属于增强型场效应晶体管 (e-mode HEMT)。该器件适用于高频开关和高功率密度应用场合，提供低导通电阻和快速开关速度的性能特点。其设计旨在满足电源转换系统中对更高效率、更小尺寸以及更轻重量的需求。
CBG321609U122T 的封装形式为行业标准的小型表面贴装封装，具有良好的散热特性和电气稳定性，适合广泛应用于工业、消费电子和通信领域。
额定电压：650V
额定电流：16A
导通电阻：122mΩ
栅极电荷：40nC
输入电容：1150pF
输出电容：75pF
反向恢复时间：无（因 GaN 器件本身特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CBG321609U122T 采用先进的氮化镓技术，具备以下突出特性：
1. 高开关频率支持，可显著减小磁性元件体积并提高功率密度。
2. 极低的导通电阻与栅极电荷，有助于降低导通损耗和开关损耗。
3. 热阻较低，能够承受较高结温，从而提升系统的可靠性和耐用性。
4. 内置 ESD 保护机制以防止静电损坏，增强实际使用中的抗干扰能力。
5. 支持简单的驱动电路设计，兼容标准逻辑电平信号控制。
此外，该器件还拥有非常低的寄生电感，这对于高频应用尤为重要。
CBG321609U122T 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 充电器及适配器，如 USB-PD 快充设备。
3. LED 驱动器和太阳能微型逆变器。
4. 电机驱动和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 无线充电器和其他需要高效功率传输的应用场景。
由于其卓越的高频特性和高效能量转换能力，这款芯片在许多现代电力电子设备中表现出色。
CBG321609U100T, CBG321609U150T, TPH3202WS
