时间：2025/5/22 8:53:43
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CBG201209U310T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及通信电源等应用。该器件采用增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和功率密度。
CBG201209U310T 集成了驱动保护功能，并采用了表面贴装封装形式，适合自动化生产，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：75nC
反向恢复时间：<10ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 基于增强型氮化镓技术，具备高效率和高频操作能力。
2. 极低的导通电阻和开关损耗，适用于高功率密度设计。
3. 内置过流保护和短路保护功能，提升了系统的可靠性。
4. 小型化封装设计，有助于减少整体电路板面积。
5. 支持高达1MHz的开关频率，优化了磁性元件的设计。
6. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 通信基站电源
4. 服务器电源
5. 太阳能逆变器
6. 电动车辆充电系统
