时间：2025/12/28 0:24:41
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CBG201209U101是一款由知名半导体制造商生产的表面贴装薄膜电容芯片，广泛应用于高频、高稳定性和高精度的电子电路中。该器件采用先进的薄膜制造工艺，具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），确保在高频工作条件下仍能保持优异的性能表现。CBG201209U101的尺寸为2012（公制代码），即2.0mm × 1.2mm，符合EIA标准的小型化封装要求，适用于空间受限的高密度PCB布局设计。该电容的标称电容值为100pF（±0.1pF），额定电压为100V DC，适用于需要高精度容值和长期稳定性的模拟信号处理、射频匹配网络、滤波电路以及精密测量设备中。由于其材料和结构的优化设计，CBG201209U101具备出色的温度稳定性，电容值随温度变化极小，在-55°C至+125°C的工作温度范围内保持高度线性与可靠性。此外，该器件具有良好的耐湿性和抗老化能力，适合在严苛环境条件下长期运行。CBG201209U101不含铅和其他有害物质，符合RoHS环保指令要求，也通过了AEC-Q200等可靠性认证，适用于汽车电子、工业控制、通信模块及医疗设备等多种高端应用场景。
型号：CBG201209U101
封装尺寸：2012 (2.0mm x 1.2mm)
电容值：100pF
容差：±0.1pF
额定电压：100V DC
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度系数：C0G（NP0）
介质材料：陶瓷薄膜
安装方式：表面贴装（SMD）
等效串联电阻（ESR）：典型值＜0.05Ω
等效串联电感（ESL）：典型值＜0.2nH
绝缘电阻：≥100GΩ
耐电压：150V AC（短时）
产品等级：工业级/汽车级
符合标准：RoHS, REACH, AEC-Q200（可选）
CBG201209U101采用高性能C0G（NP0）陶瓷介质材料，这种材料具有极佳的介电稳定性，使得电容器在整个工作温度范围内几乎不发生电容值漂移，温度系数为0ppm/°C ±30ppm/°C，确保在极端温度环境下依然维持精确的电容特性。该器件的薄膜沉积工艺结合光刻精确定位技术，实现了超高的容值精度和批次一致性，特别适用于对信号完整性要求极高的场合，如高速ADC/DAC前端滤波、PLL环路滤波器、RF耦合与去耦等应用。其超低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）有效减少了高频下的能量损耗和阻抗波动，显著提升了电路的Q值和选择性，有利于构建高性能的LC谐振回路和带通滤波器。
此外，CBG201209U101的结构设计经过优化，具备优异的机械强度和热循环耐受能力，在多次回流焊过程中不易产生微裂纹或性能退化，保证了SMT生产良率。其端电极采用多层镍金镀层结构，增强了焊接可靠性和抗腐蚀性能，即使在高温高湿环境中也能长期稳定工作。该器件还具备极低的介质吸收率和介电损耗（tanδ ＜ 0.0001），使其在精密采样保持电路和高保真音频信号路径中表现出色。由于其非铁磁性材料的使用，CBG201209U101不会引入额外的电磁干扰，也不会受到外部磁场影响，适合用于敏感的模拟前端和低噪声放大器电路中。整体而言，这款电容代表了当前高频精密贴片电容的技术先进水平，是替代传统引线式云母电容和电解电容的理想选择。
CBG201209U101因其卓越的电气性能和稳定性，被广泛应用于多个高要求的技术领域。在无线通信系统中，它常用于射频匹配网络、天线调谐电路和滤波器模块，确保信号传输的高效与纯净；在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪和网络分析仪，该电容作为关键元件参与精密RC时间常数设定和参考电路构建，保障测量结果的准确性与重复性；在汽车电子领域，包括ADAS传感器模块、车载雷达和信息娱乐系统，CBG201209U101凭借其通过AEC-Q200认证的高可靠性，胜任严酷振动与温度交变环境下的长期运行需求；在工业自动化控制系统中，该器件用于PLC模拟输入输出模块、高精度传感器信号调理电路，提升系统的抗干扰能力和动态响应精度；此外，在医疗电子设备如便携式监护仪、超声成像前端和生命支持系统中，其低噪声、高稳定特性有助于实现对人体生理信号的精准捕捉与处理。同时，该电容也适用于高端消费类电子产品中的音频编解码路径、摄像头模组自动对焦驱动电路以及电源去耦网络，全面提升终端产品的性能品质。
CC0603JGRNPO9BN101
GRM188R71H104KA01D
C2012X7R1H104K
