时间：2025/6/11 17:59:26
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CBG160808U222T 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用先进的封装工艺设计，适用于高频和高效率的应用场景。其卓越的开关性能使其成为电源管理、无线充电、快充适配器以及其他高频功率转换应用的理想选择。
CBG160808U222T 的主要特点是低导通电阻、高开关频率和高能效。由于 GaN 材料的独特性质，该器件能够支持比传统硅基 MOSFET 更高的工作频率和更低的能量损耗。
类型：增强型 HEMT
材料：氮化镓 (GaN)
额定电压：650V
额定电流：22A
导通电阻：70mΩ（典型值）
栅极电荷：45nC（最大值）
开关频率：最高可达 10MHz
封装形式：PDFN8 封装
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
CBG160808U222T 提供了出色的电气性能，包括低导通电阻和快速开关速度，从而显著降低了功率损耗并提高了系统效率。
此外，该器件还具备以下特点：
- 高击穿电压，确保在高电压环境下稳定运行。
- 超低的 Qg 和 Rds(on)，有助于减少开关损耗。
- 支持高频操作，允许使用更小尺寸的磁性元件和滤波器。
- 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
- 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使得 CBG160808U222T 在各种高性能应用中表现出色。
CBG160808U222T 广泛应用于以下领域：
- USB PD 快充适配器
- 开关电源 (SMPS)
- 无线充电发射器
- LED 驱动器
- DC-DC 转换器
- 激光雷达 (LiDAR) 系统
- 其他需要高效率和高频工作的电力电子设备
由于其优异的性能，该器件特别适合于对体积和效率要求较高的场合。
CGH160808U222T, CPG160808U222T
