尺寸：1005 (1.0mm x 0.5mm)
　　电容值：1.0nF (102)
　　额定电压：50V
　　温度特性：C0G (NP0)
　　电容公差：±5% (J)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：Class I (Ceramic, C0G/NP0)
　　端电极结构：Ni barrier (抗硫化)
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　包装形式：编带卷装

CBG100505J102所采用的C0G（也称NP0）陶瓷介质材料是一种一类高温稳定型陶瓷，具有极其优异的电气稳定性。其最显著的特点是在整个规定的温度范围内（-55°C至+125°C），电容值的变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论环境温度如何波动，器件都能维持非常恒定的电容值，不会出现像X7R或Y5V等二类陶瓷电容那样的明显容量漂移现象。这种高度稳定的温度特性使得CBG100505J102成为精密模拟电路、高频谐振电路、时钟生成电路以及各种需要长期参数一致性的应用的理想选择。
　　除了出色的温度稳定性外，该电容器还表现出极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%），这直接转化为更高的品质因数（Q值），从而减少信号传输过程中的能量损失，提升电路效率。在高频应用场景下，例如射频匹配网络、LC滤波器或振荡回路中，这种低损耗特性尤为关键，能够有效避免因电容非理想行为引起的相位噪声增加或频率偏移问题。
　　CBG100505J102的直流偏压特性近乎完美——即使施加接近其额定电压的直流偏置，电容值也不会发生明显下降，这一点与高介电常数但电压敏感性强的X7R或Z5U材质电容形成鲜明对比。因此，在电源去耦、参考电压旁路等涉及稳定偏置电压的电路中，它可提供真正“不变”的电容支持。
　　机械结构方面，该器件采用先进的多层叠片式构造工艺，内部电极交替排列并烧结为一体，具备良好的耐热冲击性和机械强度。同时，其镍阻挡层端子设计显著提升了抗硫化性能，防止空气中硫化物侵蚀导致内电极氧化失效，延长了产品在工业或户外环境下的使用寿命。整体设计兼顾了微型化、高性能与高可靠性，满足现代电子产品对小型化与功能稳健性的双重需求。

CBG100505J102因其卓越的电气稳定性和高频性能，被广泛应用于对精度和可靠性要求较高的电子系统中。典型用途包括各类高频振荡器电路（如晶体振荡器负载电容、VCXO、TCXO中的补偿电容），其中电容值的微小变化都会直接影响输出频率精度，因此必须使用C0G/NP0级别的元件以确保长期稳定性。
　　在射频（RF）前端模块中，该电容器常用于阻抗匹配网络、带通滤波器、耦合与去耦节点，凭借其低ESR和低电感特性，可在GHz频段内保持良好响应，有助于提高信号完整性和系统灵敏度。此外，在无线通信设备（如Wi-Fi模块、蓝牙模块、蜂窝基站组件）中，CBG100505J102也用于滤除杂散噪声、稳定偏置电压和构建LC调谐单元。
　　在精密模拟电路领域，如运算放大器反馈回路、有源滤波器、ADC/DAC参考电压旁路等，该器件能有效抑制温漂带来的误差，保障测量系统的准确性。在医疗电子、测试仪器和工业控制设备中，这些应用往往不允许任何因元器件老化或温度变化引发的性能退化，因此CBG100505J102成为首选方案之一。
　　由于其抗硫化设计，该型号也可用于车载信息娱乐系统、传感器接口电路和部分车身控制模块，在存在较高硫含量的交通环境中仍能可靠运行。此外，在便携式消费电子产品（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中，该电容器用于音频路径滤波、电源轨去耦和EMI抑制，充分发挥其体积小、性能稳的优势。

GRM1555C1H102JA01D
　　CC0402JRNPO9BN102
　　CL10A102JB8NNNC
　　RC0402JR-0710N