品牌：Walsin（华新科）
　　型号：CBC3225T220MR
　　封装/尺寸：3225（3.2mm x 2.5mm）
　　电容值：22pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数结构：多层（MLCC）
　　端接类型：镍阻挡层/锡外电极（Ni/Sn）
　　包装方式：卷带编带（Tape & Reel）
　　失效率：常规工业级

CBC3225T220MR所采用的X7R型陶瓷介质是一种二类陶瓷材料，主要以钛酸钡为基础，并掺杂多种改性氧化物以优化介电常数和温度稳定性。这类材料在较宽的温度范围内表现出相对稳定的电容特性，特别适用于不需要像C0G/NP0那样极高精度但又要求一定稳定性的应用场景。X7R介质的典型特征是其在-55°C到+125°C之间电容变化控制在±15%以内，这使得它比Z5U或Y5V等低等级介质更适合用于电源去耦、中频滤波和缓冲电路中。尽管其电容会随电压、频率和温度的变化略有波动，但在大多数非精密模拟电路和数字系统中仍能提供可靠的性能支持。
　　该电容器的多层结构通过将多个陶瓷-金属电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积下的有效电容密度。这种结构不仅增强了机械强度，还降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提高了高频响应能力，使其在GHz以下频段内均可有效发挥去耦作用。对于高速数字电路中的局部电源去耦应用，CBC3225T220MR能够快速响应瞬态电流需求，抑制电压波动，减少噪声传播，保障IC稳定运行。
　　此外，该器件具备良好的焊接可靠性，兼容回流焊和波峰焊工艺，适应自动化贴片生产线的需求。其两端的镍锡电极提供了优良的可焊性和抗氧化性能，在长期使用过程中不易发生虚焊或脱落现象。同时，产品经过严格的老化测试和环境应力筛选，确保批次一致性与长期稳定性。在PCB布局时建议采用对称焊盘设计并避免热应力集中，以防止因热胀冷缩导致的裂纹风险。总体而言，CBC3225T220MR是一款性价比高、通用性强的MLCC元件，适用于多种中高端电子产品的设计需求。

CBC3225T220MR广泛应用于各类需要稳定电容特性和较高耐压能力的电子电路中。在电源管理模块中，常被用作DC-DC转换器输出端的滤波电容或开关电源中的去耦元件，协助平滑输出电压、抑制高频噪声干扰。在主板、显卡、嵌入式控制器等数字系统中，该电容可用于处理器核心供电网络的局部储能与去耦，有效应对动态负载引起的电压突降问题，提升系统的抗干扰能力和运行稳定性。
　　在射频与通信设备中，CBC3225T220MR可用于中频滤波电路、阻抗匹配网络以及偏置电路中的隔直电容。虽然其并非超低损耗的C0G级别电容，但由于具备一定的高频响应能力，仍可在数百MHz频段内胜任一般信号耦合任务。此外，在传感器接口电路、ADC/DAC参考电压旁路、PLL环路滤波器等混合信号系统中，该电容也能起到稳定参考电平、降低纹波的作用。
　　工业控制设备如PLC、HMI、电机驱动器等对元器件的环境适应性要求较高，而CBC3225T220MR的工作温度范围宽、可靠性强，因此非常适合这类严苛环境下的应用。同时，消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视、无线路由器等也大量采用此类规格的MLCC进行电源去耦和信号调理。得益于其小型化封装和高集成度优势，该器件有助于缩小整机体积、提高组装密度。总之，只要应用场景不要求极低的电容漂移或超高Q值，CBC3225T220MR都是一种经济实用的选择。

CL31A220MJHNNNE
　　C3225X7R1H220M
　　GRM31CR71H220MA12L
　　ECJ-3YB1H220M