时间:2025/12/27 9:16:42
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CBC3225T100MR是一款由华新科(Walsin Technology Corporation)生产的多层陶瓷芯片电容器(MLCC),属于表面贴装器件(SMD)类型,广泛应用于各类电子电路中。该型号的封装尺寸为3225(即3.2mm x 2.5mm),符合EIA标准的1210英制尺寸,适用于高密度贴片电路设计。其标称电容值为10μF,额定电压为6.3V DC,电介质材料为X5R,具有良好的温度稳定性和电容保持率。该电容器在-55°C至+85°C的温度范围内,电容变化率不超过±15%。由于其小型化、高可靠性和优良的高频特性,CBC3225T100MR被广泛用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块和便携式电子设备中。该产品符合RoHS环保要求,并具备无铅焊接兼容性,适合现代自动化贴片生产工艺。
型号:CBC3225T100MR
制造商:华新科(Walsin)
封装尺寸:3225(1210)
电容值:10μF
额定电压:6.3V DC
电介质材料:X5R
温度范围:-55°C ~ +85°C
电容容差:±20%
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
直流偏压特性:随电压升高电容值有所下降
ESR(等效串联电阻):低
ESL(等效串联电感):低
安装类型:表面贴装(SMD)
端接:镍阻挡层/锡覆盖(Ni-Sn)
符合标准:RoHS compliant, AEC-Q200(部分系列)
CBC3225T100MR采用先进的多层陶瓷制造工艺,确保了在小尺寸下实现较大的电容值。其X5R电介质材料提供了良好的温度稳定性,在-55°C到+85°C范围内电容变化不超过±15%,优于X7R和Y5V等材料,适合对电容稳定性有较高要求的应用场景。该电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其在高频去耦和滤波应用中表现出色,能有效抑制电源噪声并提高系统稳定性。此外,由于其结构为多层叠层设计,内部电极交错排列,显著降低了寄生电感,提升了高频响应能力。
该器件在直流偏压下的电容保持率表现良好,尽管随着施加电压接近额定电压时电容值会有所下降,但在6.3V工作电压下仍能维持较高的有效电容,适用于低压电源轨的旁路和储能应用。其3225封装尺寸在空间受限的设计中具有较高的体积效率,兼顾了电容密度与机械强度。端电极为三层电极结构(铜内电极/镍阻挡层/锡外电极),增强了抗热冲击能力和焊接可靠性,适用于回流焊工艺。此外,该型号通过了严格的可靠性测试,包括高温高湿偏压测试(H3TRB)、温度循环测试(TCT)和耐焊接热测试,确保在严苛环境下的长期稳定性。其无铅端接设计符合环保法规要求,适用于出口型电子产品和绿色制造流程。
CBC3225T100MR广泛应用于各类需要中等容量滤波和去耦的电子电路中。常见于移动通信设备如智能手机和平板电脑的电源管理单元(PMU)中,用于DC-DC转换器的输入输出滤波,稳定供电电压并减少纹波。在便携式消费类电子产品中,如蓝牙耳机、智能手表和可穿戴设备,该电容器因其小型化和高可靠性而被广泛采用。此外,在计算机主板、笔记本电脑和嵌入式系统中,它常用于处理器或内存模块的电源去耦,以提升系统运行的稳定性。
在工业控制和汽车电子领域,该型号也适用于非动力系统的车载电子设备,如信息娱乐系统、仪表盘模块和车身控制模块,尤其在对温度稳定性有一定要求但成本敏感的应用中具有优势。在电源适配器、LED驱动电源和开关电源(SMPS)中,CBC3225T100MR可用于次级滤波电路,改善输出电压质量。此外,由于其良好的高频特性和低ESR,也适用于射频模块和高速数字电路中的局部去耦,防止电源干扰影响信号完整性。总之,该器件凭借其稳定的电气性能、紧凑的尺寸和成熟的制造工艺,在多种电子系统中发挥着关键作用。
GRM319R60J106ME15L
CL21A106KOQNNNE
C3225X5R0J106K